增材制造（3D打印）在高频RF中的潜在优势引起了大学和企业研究人员的广泛关注。他们正在探索和利用AM来制造外形更小、性能更好的器件，希望利用AM来制造一些使用常规技术无法实现的设计。

基于GaN的芯片已经历了集成的各个阶段，从单纯的分立式器件到单片式半桥器件，再到包含单片集成驱动器的功率FET。最近又发展到单片式电源阶段，集成了功率FET、驱动器、电平转换电路、逻辑模块和保护功能。但是，在实现完整的GaN片上系统解决方案之前，还需要克服一些挑战......

在传统的登纳德缩放比例定律大放异彩的日子里，我们经常想到平面晶体管。MOS和三极管等器件诞生出FinFET技术，将二维平面带入3D时代。但随着传统的FinFET逐渐失去动力，而且未来的器件足够薄，硅这样的传统3D半导体在2D领域效果不佳，使用二维晶体管将是大势所趋。

怎样才能让物联网传感器不易被察觉呢？最好的方式就是将它们嵌入到衬衫、裤子、袜子或鞋子的面料中......

基于GaN的解决方案与数字控制技术相结合可以提高整体效率、缩小尺寸，提供适用于笔记本电脑或超薄显示器的超薄型48 V至20 V电源解决方案。

许多制造商正在寻找新的解决方案（材料），用来克服锂离子（Li-ion）电池中石墨阳极的局限性。新型硅阳极电池技术可以为电池快速充电，有望在5至10分钟内充至其容量的80％以上，还不会损坏电池外形，同时还能将能量密度提升2至3倍。

本文首发于求是缘半导体联盟，作者是莫大康老师。他为大家介绍了什么是半导体设备的子系统，以及为什么要有半导体设备的子系统。

中国工程院院士、中国建材集团有限公司总工程师彭寿在演讲中指出，材料在我国每年以20%左右的速度增长，我国也成为具备全球唯一门类齐全的制造业体系的国家。但是，我国先进材料超50种高度依赖进口。

早在2019年9月，小米概念机MIX Alpha上就使用了纳米硅碳负极材质电池，在4050mAh容量的电池上实现了40W有线闪充。相比起第一代硅碳负极，这次小米11 Ultra采用了更为成熟稳定的硅氧负极材质电池，属于小米第二代硅负极电池技术。高能量密度、高寿命、高性能的硅氧负极电池能否带动电池行业迈向新的篇章？

当iPhone12上市的时候，全球的果粉们都在期待着120Hz高刷新率的屏幕，然而，由于采用高通芯片，苹果不得不做出妥协。现在，再度传闻三星在为苹果把OLED生产线转换为LTPO生产线，苹果新机型iPhone 13会搭载120Hz LPTO高刷屏，这次，苹果还会让果粉失望吗？

在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率晶体管是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。如今，SiC MOSFET问世10周年，从一开始的不被看好到现在的万众瞩目，SiC MOSFET器件一鸣惊人的背后是几十年如一日的研发奋斗。

【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第三篇，【当代材料电学测试课堂】系列之三： 凝聚态物理中物性表征测试。