碳化硅功率器件将快速成为车用半导体产业的明日之星。本刊特别邀请到在第三类半导体研究领域顶尖学者崔秉钺教授，为本刊撰文介绍碳化硅功率器件的发展概况与技术趋势，与读者分享此一重要科技领域的学术研究进展。

多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。

表在Journal of Physics D上的一项研究中，研究人员表明，蜂蜜可用于制造忆阻器，这是一种类似于晶体管的组件，不仅可以处理数据，还可以将数据存储在内存中。

MST是一种利用量子工程开发的薄膜，经历了超过15年的研发；它是一种磊晶成长的薄膜，包含非半导体材料，例如在硅或其他半导体材料中间掺入氧气。

在本系列的前几篇文章中，我们介绍了电动车快充系统的主要系统要求，概述了系统开发过程中的关键阶段以及认识了参与设计25kW SiC直流快充系统的工程师团队。现在，让我们更深入了解25kW SiC快充设计。在第一、第二部分中我们聊了聊所选择的规格、拓扑和市场背景，今天我们将着重于ACDC转换部分的仿真，同时还有在之前被称为“三相有源整流”部分，简称PFC。

为了满足绿色出行的要求，业界必须以提高能源效率为主要目标，进行新技术开发。顺应这一发展趋势，英飞凌科技即将推出采用XHP 2封装的CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。

尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势，但它也带来了一些设计挑战，我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。

国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器，5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，CMTI超过100kV/us

IVCR1401是一款4A单通道高速智能栅极驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT， 对比传统的栅极驱动，8引脚设计更简洁，使用更方便，能大大节约开发时间成本。

1. 高频、高功率密度；2. 高边同步整流自供电，不需要辅助绕组，设计简洁；3. 无反向恢复电荷，效率更高；4. 更利于合封集成

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

在同时考虑行驶里程和成本因素时，仍然需要以电机逆变器为焦点不断创新，旨在进一步提高电动汽车的效率和行驶里程。作为电机逆变器中价格最昂贵、功能最重要的元件，SiC功率开关需要接受精准控制，以充分发挥额外的开关成本的价值。