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电源管理
瑞萨发布USB 2.0集线器控制器芯片
瑞萨电子发布USB 2.0集线器控制器芯片,具有电池充电功能。支持USB BC 1.2,允许通过单个USB接头进行数据通信和快速充电。瑞萨电子 USB 2.0集线器控制器芯片,具有电池充电功能,产品编号μPD720115.
瑞萨电子
2013-06-04
电池技术
电源管理
电池技术
手机充电器:精彩创意铸就成功
EDN品牌总监Patrick曾对某款手机充电器进行了拆解分析,结论是这款手机充电器设计效果欠佳,导致评价极差。作为补救,我购买了Mophie juice pack power station mini智能手机与USB通用移动电源,这款充电器不仅没有出现之前拆解分析中发现的问题,还可以为手机提供2倍以上电池容量。
Steve Taranovich,EDN高级技术编辑
2013-05-31
电源管理
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硅、氮化镓、碳化硅如何为功率设计寻找最佳的工艺和供应商
鉴于功率元件领域的竞争不断加剧,到2013年中期将有6个左右的GaN、Si和SiC供应商会披露有关工艺改进、新型架构,以及会给行业带来新选择和新工具的最新能力。本文将探讨一些这样的公司和技术。
Steve Taranovich,EDN高级技术编辑
2013-05-30
电源管理
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ST推出新一代高能效功率器件
意法半导体(ST)发布最新功率技术,让工业设备和基础设施更加节能环保.全新功率晶体管系列采用先进的内部结构,拥有业界最低通态电阻,适用于低能耗、高空间效率的设计.
意法半导体
2013-05-30
电源管理
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Vishay推出新款高可靠性固钽片式电容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过Defense Logistics Agency (DLA)---美国国防后勤局 Specification 13008认证的新款高可靠性版本电容器--- Vishay Sprague 13008系列,扩大其TANTAMOUNT 597D系列商用固钽片式电容器。
Vishay
2013-05-23
电源管理
电源管理
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7,为硬开关应用带来全球最低的通态电阻
英飞凌
2013-05-21
电源管理
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Vishay推出反向电压高达1000V的单相桥式整流器
Vishay推出反向电压高达1000V的单相桥式整流器,器件采用薄型MBLS封装,用于智能手机充电器.
Vishay
2013-05-15
电源管理
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功率更大、尺寸更小和温度更低的负载点DC/DC调节
每一代高端处理器、FPGA和ASIC都因更重的负载而增加了电源的负担,但是系统设计师很少为了符合这种功率增大的情况而额外分配宝贵的系统电路板空间。由于广泛需要更多专用和安装在电路板上的电源,以向多个电压轨提供POL(负载点)调节,所以这种对电源的挤压就更严重了。
Eddie Beville、Afshin Odabaee和Mike Stokowski,凌力尔特公司
2013-05-14
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Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻
Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围,150 V N沟道TrenchFET功率MOSFET为DC/DC应用提供18m?导通电阻.
Vishay
2013-04-26
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英飞凌和阳光电源联手加强新能源技术合作
英飞凌科技亚太有限公司与阳光电源股份有限公司今日在安徽省合肥市签署了合作伙伴框架协议备忘录。
英飞凌
2013-03-29
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英飞凌推出新一代DrMOS器件DrBlade
英飞凌科技股份公司近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件,它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。
英飞凌
2013-03-27
电源管理
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另类无线充电技术摆脱功率限制
无线充电系统的运作受负载变化影响。移动设备为了缩短充电时间,充电过程中所需要的电流较过去有所增加。对于较大功率的设备,Qi标准的5W功率显得不够使用。因此,市场发展的重点将着眼于实现更大功率。IIC China 2013展会上,富达通科技公司推出了大功率无线充电解决方案,吸引了众多与会者的眼球。
Franklin Zhao
2013-03-13
电池技术
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意法半导体推出电池剩余电量指示芯片
意法半导体(ST)推出电池剩余电量指示芯片,有效提升移动设备的可靠性及使用寿命.创新的电池电量计可准确地监控电池剩余电量,且不受电池老化和使用方式的影响.
意法半导体
2013-03-08
电源管理
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用魔棒来控制节日彩灯
当靠近IC 4挥舞魔棒时,触发器的输出会翻转。
Vladimir Rentyuk,乌克兰Zaporozhye
2013-03-05
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向前迈进 eGaN FET全新市场及应用分析
他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
Alex Lidow博士,宜普电源转换公司
2013-03-04
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