氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）具有快速开关性能，有助于提高效率，同时比硅的损耗低。因此，许多电源厂商都想借此在高性能产品上抢占先机。就氮化镓而言，从Gartner技术成熟度曲线上看，这一技术现处于第二次攀升阶段，热潮已过，已经成熟。现在已是非常好的时机来看这类产品和技术了。

“电”在电子工程的世界中理所当然是不可或缺的关键要素，而如何在设计各种电子产品时将电源做最有效的运用，好让系统运作能符合节能省电环保需求，或是更进一步延长便携设备电池续航力，成为电子工程师们的首要任务。

继2018全球CEO峰会之后，意法半导体（ST）总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery在该公司举办的媒体发布会上，探讨了其面向四大终端市场——汽车，工业，个人电子产品，通信设备、计算机及外设——的市场策略。

集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”，而将GaN与SiC进行对比，前者的优势显而易见。

GaN材料是一种较新的衬底，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能，因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力：利用GaN作为高频功率放大器的衬底，可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。

GaN（氮化镓）是一种较新的衬底材料，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。本系列文章将分成多个部分，深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。

我们需要测量的信号正变得越来越极端，如高电压、大电流和高开关速度等。例如，电动汽车等应用中的电源设计正从IGBT向GaN和SiC等新一代器件转变，这些新器件的开关速度要比传统器件快得多，会产生很大噪声，影响环境，因而必须予以测量和抑制。此外，带宽变大、电流变大等也意味着，如果参数超出极限，则我们需要开发新的测量仪器来与时俱进。

当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。

当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。

对于工业应用，器件可提供达9000W超高功率耗散，无外部辐射

高效智能的能源利用反映到性能上，即更安全、更便捷、更清洁、更高效。要达到这四点，过去20年IGBT交了一份很好的答卷。但是到现在这个阶段，如果要更上一层楼，再有一个质的飞跃，那IGBT已经捉襟见肘了。

为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。

Hot 100是EDN一项承传已久的历史活动，每年美国的编辑们都会选出当年最热门的100款产品分享给大家。又是一年到了！2017年最热的产品有哪些？EDN编辑根据自己的判断和读者的兴趣选出了100个热门产品。

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当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Q_rr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。