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GaN:适合5G应用的高频衬底材料(3)

时间:2018-11-21 作者:Busy Blogger 阅读:
集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”,而将GaN与SiC进行对比,前者的优势显而易见。

GaN(氮化镓)材料正迅速成为所有电子应用的优选方案,因为这些应用在效率方面对性能的要求很高。集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”,而将GaN与SiC进行对比,前者的优势显而易见,如图1所示。

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图1:随着消耗功率的变化,SiC和GaN材料在效率和结温方面的比较(来源:GaN Systems)

在两个类似的应用电路中,分别使用基于GaN和SiC的IC,通过测量两个电路的功率转换效率即可对这两种材料进行比较(见图2):

“与碳化硅等效物相比,许多工程师对氮化镓FET的性能表现还不太了解。因此,GaN Systems公司设计了两个分别采用SiC和GaN的650V/15A开关电源,以对比它们的性能。”(来源:GaN Systems)

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图2:用于测量SiC和GaN材料性能的两个应用电路(来源YouTube:氮化镓FET如何与碳化硅FET抗衡)

GaN的采用与电子行业通常使用的其他材料兼容,这从两家大型公司MACOM和ST最近达成的合作可以看出,这一合作将为射频应用开发和生产硅基GaN器件。

“这项合作标志着我们将持续引领RF行业转向GaN硅技术。到目前为止,MACOM已经通过使用适度的化合物半导体制造厂,达到甚至超过了昂贵的硅基GaN替代技术的RF性能和可靠性,从而改进并证明了硅基GaN的优点,”MACOM总裁兼首席执行官John Croteau说道,“我们希望与ST的合作能够将这些GaN创新引入芯片供应链产业,最终可以满足最苛刻的客户和应用需求。”

“ST在硅片晶圆制造方面的规模和卓越运营旨在释放MACOM和ST在新的RF功率应用市场的潜力,因为这可以提供硅基GaN市场规模化所需的驱动力,”意法半导体汽车和离散产品事业部总裁Marco Monti表示,“虽然扩大现有RF应用的机会很有吸引力,但我们更加兴奋的是在新的RF能源应用中使用硅基GaN技术,特别是在汽车应用中,例如等离子点火,以便在传统发动机中实现更有效地燃油,也可以在RF照明中应用,以提供更高效和更持久的照明系统。”(来源:BusinessWire)

您是否认为这种针对要求苛刻的电子应用的新方法将为电子技术带来释放的潜力? 

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