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高通RF由CMOS转向砷化镓之后,都影响了谁?

2016-02-17 EDN网络整理 阅读:
高通成功的低成本射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。但据EDN之前的报道,该产品并非标准CMOS制程,而是绝缘层覆硅(SOI)CMOS,该技术想要整合到AB或BP,存在一定的技术挑战。
高通成功的低成本射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。 但据EDN之前的报道,该产品并非标准CMOS制程,而是绝缘层覆硅(SOI)CMOS,该技术想要整合到AB或BP,存在一定的技术挑战。 一语中的! 高通果然耐不住还是投向了砷化镓的怀抱。 日前其与TDK合资,在新加坡设立了新公司“RF360 Holdings Singapore”,该信公司中,高通占有51%的股份,而TDK占49%。高通计划在未来的新公司中持续投入30亿美金。TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS,会将部分业务分拆出来成立“RF360”。 高通对RF元件布局变了。

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  由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA,市场预期,今年会开始寻找合适代工厂,最快年底就会有样品,明年就能上市。 对竞争对手及代工厂的影响 RF360之前是由台积电八寸厂制造,再搭配自家手机芯片出货。   相较高通推出自家PA等RF元件,竞争对手联发科则是采合作方式,在手机公板上认证Skyworks、Avago、RFMD及天津的唯捷创芯(Vanchip)的元件,避免周边零组件供应出现长短脚现象。 这次高通RF元件策略转向砷化镓制程,将使得宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益,至于对台积电的影响则有待观察。 高通CEO Steve Mollenkopf回应时表示,与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化镓PA)将于2017年生产,这是一个比较合适的时间点,届时会再寻找合适的应用市场。 最后,您认为对于那些鼓吹GaAs统治消费电子的时代“该结束了”的人来说,高通举动释放了什么信号?

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