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14 nm路线图加速客户使用FinFET技术

2012-11-29 丛秋波,EDNChina 阅读:
为帮助无晶圆厂客户快速开发新一代智能移动设备,GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的FinFET晶体管架构,向客户展示GLOBALFOUNDRIES14nm-XM技术三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势。
为帮助无晶圆厂客户快速开发新一代智能移动设备,GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的FinFET晶体管架构,向客户展示GLOBALFOUNDRIES14nm-XM技术三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势。 GLOBALFOUNDRIES全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen介绍说,14nm-XM技术采用模块化技术架构,完美结合了14nm FinFET器件与GLOBALFOUNDRIES公司即将量产的20nm LPM制程技术。运用成熟的20nm-LPM技术,能让拥有FinFETSoC优势的客户最快地实现顺利迁移。目前技术研发工作已经展开,测试硅片正在GLOBALFOUNDRIES公司设于纽约萨拉托加县的Fab 8晶圆厂接受测试。早期流程设计工具(PDKs)现已面市,并预计将于2013年可提供客户产品流片。 据了解,FinFET架构采用传统的二维晶体管设计,将导电通道置于侧面,形成由电流控制栅极包围的三维“鳍”状结构。FinFET技术的最大亮点就是其优异的低功耗特性,三维晶体管设计具有电压低运行且漏电少的固有特点,即在移动应用中可延长电池寿命,或降低数据中心网络芯片等插入式应用的耗电量。 14nm-XM架构实现了性能与功耗的完美平衡,并成功将芯片尺寸和成本降至最低。与此同时,其构造方式可带来最佳的可制造性与设计便利,并允许设计师重复使用上一代产品中的部分IP。除了晶体管结构外,这项技术还充分关注了SoC级的需求,如支持全系统性能和特殊的移动应用需求。 与此同时,GLOBALFOUNDRIES 的制程研发和技术架构团队也一直与内部设计团队和设计生态系统合作伙伴保持着密切协作,共同优化技术和设计环境。 Michael Noonen还提到, 最近GLOBALFOUNDRIES与ARM达成一项新的多年合作协议,共同为采用FinFET制程技术的ARM处理器打造最佳的SoC解决方案。在共同优化ARM Cortex-A系列处理器方面,ARM和GLOBALFOUNDRIES已经积累了多年合作经验,而新的协议进一步延续了此前的合作,将推动生产IP平台的发展,促进客户迅速转移至三维FinFET晶体管技术。 《电子设计技术》网站版权所有,谢绝转载
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