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纳瑞科技将展示多项IC失效分析新技术

2013-01-16 EDNChina 阅读:
致力于提供IC失效分析服务的纳瑞科技,将在IIC China 2013上展示:针对90纳米线宽以下多层铜布线芯片的修改工艺,针对模拟信号IC芯片的低阻值连接和针对长距离连线的低阻值连接,新型气体源FIB切割加工服务等多项新技术工艺。
致力于提供IC失效分析服务的纳瑞科技,将在IIC China 2013上展示:针对90纳米线宽以下多层铜布线芯片的修改工艺,针对模拟信号IC芯片的低阻值连接和针对长距离连线的低阻值连接,新型气体源FIB切割加工服务等多项新技术工艺。 届时,纳瑞科技的资深FIB操作工程师和技术专家将为观众做现场演示与讲解。 针对90纳米线宽以下多层铜布线芯片的修改工艺 随着国内IC设计水平的提高,线宽在90nm以下的芯片已经趋于普遍。对FIB加工而言,这类芯片操作难度较大,主要体现在:1.金属层较多;2.金属线间距小,操作空间小,各层氧化层比较薄,各层都填加dummy metal。纳瑞科技经过技术改进,能够为28nm以上所有线宽的芯片进行修改,技术达到国内一流水平。 针对模拟IC的低阻值连接和针对长距离连线的低阻值连接 纳瑞科技的连线电阻最低可以达到业界一般水平的1/20;针对一些特殊情况,纳瑞还可以满足客户特别的阻值要求。 新型气体源FIB切割加工服务 纳瑞科技采用新型气体源,为客户提供特殊的样片加工服务,如切断Bongding线,纵切焊球截面等。 纳瑞科技(北京)有限公司(Ion Beam)成立于2006年,由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有多年经验的技术骨干创立而成。公司致力于为集成电路设计和制造工业,光电子工业,纳米材料研究领域提供一流的分析技术服务,尤其专注离子束应用技术在IC芯片修改以及失效分析领域的技术应用及拓展。公司为研究人员提供截面分析、二次电子像以及透射电镜样品制备,同时也为聚焦离子束系统的应用客户提供维修、系统安装、技术升级换代、系统耗材以及应用开发和培训服务,这些服务将为IC芯片设计工程师,IC制造工程师缩短设计、制造时间,提高产品成品率。 除纳瑞科技外,IIC China 2013 现场将汇集众多优质技术厂商,于今年2月28日,3月1-2日在深圳会展中心举行,欢迎广大工程师朋友们莅临参观、学习和交流。 IIC China 2013展商报道系列文章欢迎转载,请务必注明出处并附原文链接
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