向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

高功率密度数字IC需要新一代电源稳压器

时间:2020-01-15 作者:Steve Knoth 阅读:
得益于晶圆制造技术的线宽缩小,高性能数字IC(例如GPU、FPGA和微处理器)呈现电流需求迅速增加和工作电压下降的发展趋势。传统上,数字IC采用LDO稳压器或基于电感的开关稳压器控制器以及板外电源设备供电。随着对电源性能和尺寸要求的提高,传统方法已不再适用,而需要新一代的单片式电源。

背景知识

先进的高功率密度数字集成电路(IC),例如图形处理器(GPU)和现场可编程门阵列(FPGA),常见于功能丰富的电子环境中,包括:WNpednc

  • 汽车
  • 医疗
  • 电信
  • 数据通信
  • 工业
  • 通信
  • 游戏
  • 消费类音视频

市场渗透率如此之高,全球对大电流低压数字IC的需求激增也就不足为奇了。当前全球市场规模预估超过18亿美元,预计该市场在2018年至2025年期间年增长率为10.87%,将达到37亿美元。作为该市场最大的组成部分之一,预计FPGA的市场规模到2025年底将达15.3亿美元。数字IC市场的其他代表产品还包括GPU、微控制器和微处理器、可编程逻辑器件(PLD)、数字信号处理器(DSP)和专用集成电路(ASIC)。WNpednc

高功率密度数字IC几乎已经渗透进入所有的嵌入式系统。FPGA可以在上述市场领域实现先进应用。例如,在汽车应用中,高级驾驶员辅助系统(ADAS)和防撞系统可以预防由人为错误而引起的灾难。同样,政府规定的安全功能(诸如防抱死制动系统、稳定性控制和电子控制的独立悬挂系统等)也需要FPGA来运行。WNpednc

在消费类电子产品领域,对物联网(IoT)功能、复杂的图形引擎功能和机器对机器(M2M)功能的需求迫切需要先进的数字IC。海量数据存储、云计算中心以及光网络模块的扩展网络推动了对FPGA和数字IC的需求。WNpednc

这些数字IC功能强大,但要求严苛,特别是在电源需求方面。传统上,为FPGA和ASIC供电一直采用高效开关稳压器控制器驱动大功率MOSFET完成,但是这些基于控制器的电源方案存在潜在的噪声干扰、相对较慢的瞬态响应和布局限制等问题。近年来,可最大限度减少热量的小型且安静的低压差(LDO)稳压器成为一种替代方案,但它仍然存在自身的局限性。最近的电源转换创新引入了大功率单片式开关稳压器,它们能够为数字IC有效供电,兼具低噪声和高效率,同时还最大限度地降低了空间需求。WNpednc

开关稳压器、电荷泵与LDO稳压器对比

实现低电压、大电流降压转换与调节可采用多种方法,每种方法都有各自的性能和设计权衡。开关稳压器控制器能够在宽电压范围和大负载电流下实现高效率,但它们需要多个外部元件(如电感、电容和FET)才能运行,而这些元件可能会成为高频和低频噪声的来源。无电感电荷泵(或开关电容电压转换器)也可以用来产生低电压,但其输出电流能力受限,瞬态性能较差,并且需要多个外部元件。因此,电荷泵在数字IC电源应用中并不常见。线性稳压器(尤其是LDO稳压器)很简单,因为它们只需要两个外部电容即可工作。但是,它们的功率可能有限,这取决于IC两端输入到输出的电压差大小、负载所需电流的大小以及封装的热阻特性。这无疑限制了它们为数字IC供电的能力。WNpednc

单片式降压转换器的设计挑战

摩尔定律自1965年问世以来,其远见性和有效性一再得到验证。晶圆制造技术的线宽不断缩小,从而降低了数字IC的电压。更小的几何形状工艺可以在最终产品中高度集成更多的高耗电功能。例如,现代计算机服务器和光通信路由系统需要更宽的带宽来处理更多的计算数据和互联网流量,这些系统还会产生大量的热量,因此需要高效率的IC。汽车配备更多的车载电子设备,用于娱乐、导航、自动驾驶功能甚至发动机控制。于是,系统的电流消耗和相应的总功耗都会增加。因此,需要先进的封装和内部电源级的创新设计将热量驱散出电源IC,同时提供更高的功率。WNpednc

高电源抑制比(PSRR)和低输出电压噪声(或纹波)是重要的考虑因素。具有高电源抑制比的器件可以滤除和抑制输入噪声,从而获得干净稳定的输出。此外,电源解决方案需要在宽带宽范围内实现低输出电压噪声(或低输出纹波),因为现代数字系统具有多个电源轨,其中噪声灵敏度是设计的主要考虑因素。随着高端FPGA对速度要求的提高,电源噪声容差逐渐降低,以最大限度地减少误码。噪声引起的数字故障会大大降低这些高速PLD的有效数据吞吐速率。大电流下的输入电源噪声成为对电源要求较严苛的规范之一。WNpednc

由于精确的几何电路开关会产生高功耗,因此收发器速率越高(例如在FPGA中),电流水平就越高。这些IC速度很快。它们可能在几十至几百纳秒内使负载电流从接近零到数安培循环,因此需要使用超快速瞬态响应的稳压器。WNpednc

随着留给电源稳压器的电路板面积不断减少,许多系统设计人员转而使用开关频率更快的单片式开关稳压器,从而减小外部元件和整体解决方案的尺寸——但是这样做必须要接受的一个权衡是,高频下的开关损耗会引起一定的效率损耗。使用新一代单片式开关稳压器可以避免这种权衡取舍。这些新的稳压器集成了高边和低边开关,具有同步操作功能,可以严格控制开关栅极电压,大大缩短了死区时间,即使在高频率下也可以实现更高的效率。WNpednc

大电流单片式开关的最大挑战之一是能否将IC内部功率损耗所产生的热量散发掉。这一难题可以通过使用多个电源和地引脚以及带有铜柱的增强散热层压式封装来解决,该封装可以很轻松地将热量从IC传输到电路板上。这些电源引脚连有较大的电路板铜平面,使热量分散更均匀。WNpednc

全新Silent Switcher降压转换器系列

显然,适合高性能数字IC的降压转换器解决方案必须具有以下特性:WNpednc

  • 快速开关频率,可使外部元件的尺寸最小;
  • 零死区时间设计,以使高频效率最大;
  • 单芯片板载电源器件,可实现更小尺寸的解决方案;
  • 多相操作支持并联工作,从而实现大输出电流并减少纹波;
  • 低EMI,以满足低系统噪声要求;
  • 同步工作,可实现高效率和低功率损耗;
  • 设计简单,以缩短设计周期并简化认证与测试;
  • 极低输出纹波;
  • 快速瞬态响应时间;
  • 可在宽输入/输出电压范围内工作;
  • 大输出电流能力;
  • 出色的散热性能;
  • 紧凑的尺寸。

ADI公司Power by Linear™ LTC33xx系列单片式大、中和小电流降压稳压器具备这些特性。电流最高的器件是LTC3310S,它是一款5V、10A的高功率密度、低EMI Silent Switcher® 2单片式同步降压转换器,采用9mm2封装(功率密度=1.11A/mm2)。这款器件的固定频率峰值电流模式架构非常适合要求快速瞬态响应的应用。LTC3310S采用了带集成热环路旁路电容的Silent Switcher 2架构,可在高达5MHz的频率下实现高效率、小占板面积的解决方案以及出色的EMI性能。多相操作支持最多四个器件直接并联,可以提供高达40A的输出电流。WNpednc

LTC3310S的2.25V至5.5V输入范围支持众多应用,包括大多数中间总线电压。集成的低导通电阻MOSFET可提供高达10A的连续负载电流,且热降额极少。0.5V至VIN的输出电压范围非常适合负载点应用,比如大电流、低电压的DSP/FPGA/GPU/ASIC设计。其他主要应用包括光网络、电信/数据通信、汽车系统、分布式电源架构及任何中高功率密度系统。图1所示的典型设计非常简洁,而图2表明实现4相40A配置非常简单。WNpednc

WNpednc

图1:LTC3310S典型应用。WNpednc

WNpednc

图2:将4个LTC3310S单片式稳压器并联构成一个4相40A降压稳压器。WNpednc

LTC3310S的最短导通时间低至35ns,可实现高频率下的大降压比,并且当输入与输出电压值接近时,100%占空比工作可提供低压差性能。工作频率可同步至一个外部时钟。LTC3310S的总体基准电压精度在-40℃至+125℃的工作结温范围内优于±1%。其他特性包括电源良好信号(用于指示输出处于稳压状态)、精确使能门限、输出过压保护、热关断、芯片温度监视器、可编程软启动、跟踪、时钟同步、模式选择和输出短路保护。WNpednc

LTC3310S采用增强耐热18引脚3mm×3mm×0.94mm LQFN封装。E级和I级器件的额定工作结温范围为-40℃至+125℃,而J级和H级的额定工作结温范围为-40℃至+150℃。WNpednc

高效率、低EMI和快速瞬态响应

Silent Switcher降压稳压器设计可在高开关频率(>2MHz)下提供高效率以及超低电磁干扰(EMI)辐射,从而可实现非常紧凑且低噪声的降压解决方案。Silent Switcher系列采用特殊的设计和封装技术,在2MHz下能够实现>92%的效率,同时可以轻松符合CISPR 25 5类峰值EMI限制。新一代Silent Switcher 2技术的内部结构采用了铜柱代替键合线,增加了内部旁路电容,集成式衬底地平面可以进一步提高EMI,使其对pcb布局不敏感,从而可简化设计并降低性能风险。WNpednc

LTC3310S产品型号中的“S”代表它采用第二代Silent Switcher技术。IC集成了VIN陶瓷电容,可以保持所有快速交流电流环路都很小,从而改善EMI性能。该技术支持快速开关边沿,在高开关频率下可提供高效率,同时实现良好的EMI性能(参见图3、图4和图5)。此外,它还能实现更快速、更干净的低过冲开关边沿,从而大大提高在高开关频率下的效率。图6显示了LTC3310S的高效率性能。WNpednc

WNpednc

图3:CISPR 25传导EMI辐射,5类峰值限制(电压法)。WNpednc

WNpednc

图4:水平极性辐射发射。WNpednc

WNpednc

图5:垂直极性辐射发射。WNpednc

WNpednc

图6:LTC3310S效率性能。WNpednc

LTC3310S的固定频率峰值电流模式架构简化了补偿,使该IC能够对瞬态阶跃做出快速响应。外部补偿元件使控制回路得以优化,以实现更高带宽和更快速的瞬态响应。WNpednc

采用2mm×2mm封装的6A、4A和3A Silent Switcher降压器

对于更高的功率密度,第一代Silent Switcher架构是一个很好的解决方案。Silent Switcher拓扑与Silent Switcher 2拓扑类似,只是VIN旁路电容位于外部,而不是位于塑料密封的倒装芯片层压式封装内部。为了完全实现Silent Switcher的低EMI性能,需将外部VIN旁路电容对称放置于封装外部。这种电容分离式的对称放置可以最大限度地减少热环路的实际面积,从而降低EMI并缩小封装占位尺寸。WNpednc

LTC3309A、LTC3308A和LTC3307A是5V输入的稳压器,可分别支持6A、4A和3A,实现高功率密度、低EMI单片式降压转换。它们的工作频率均可达3MHz,封装尺寸为4mm2(LTC3309A的功率密度=1.5A/mm2)。WNpednc

图7显示了一个LTC3309A的典型应用。固定频率峰值电流模式架构非常适合于快速瞬态响应,包括Burst Mode®工作期间的快速瞬态响应(参见图8)。LTC3309A采用Silent Switcher架构,并利用了外部热环路旁路电容。这种设计可在高工作频率下实现高效率、小占板面积的解决方案和出色的EMI性能。WNpednc

该系列输入电压范围为2.25V至5.5V,可支持多种应用,包括大多数中间总线电压,并与锂电池和镍电池类型兼容。集成的低导通电阻MOSFET可提供高达6A的连续负载电流。0.5V至VIN的输出电压范围非常适合负载点应用,比如大电流/低电压DSP/FPGA/GPU/ASIC参考设计。其他主要应用包括电信/数据通信和汽车系统、分布式电源架构和通用电源系统。WNpednc

LTC3309A、LTC3308A和LTC3307A可工作在强制连续或脉冲跳跃模式(可实现低噪声)或低纹波、低IQ突发模式(可在轻负载条件下实现高效率),非常适合电池供电型系统。低至22ns的最短导通时间仍可实现高降压比,即使电源工作在较高频率下也是如此,并且当输入与输出电压值相同时,100%占空比工作可提供低压差性能。工作频率可以与外部时钟同步。总体基准电压精度在-55°C至+150°C的工作结温范围内优于±1%。该器件可在过载情况下安全地承受电感饱和。其他特性包括电源良好信号(指示输出处于稳压状态)、内部软启动、精确使能门限、输出过压与短路保护、热停机和时钟同步。WNpednc

LTC3309A、LTC3308A和LTC3307A均为引脚兼容的器件,采用增强散热、小型超薄的12引脚2mm×2mm×0.74mm LQFN封装。E级和I级器件的额定工作结温范围为-40℃至+125℃。J级和H级的额定工作结温范围为-40℃至+150℃,MP级的额定工作结温范围为-55℃至+150℃。WNpednc

WNpednc

图7:LTC3309A典型应用电路。WNpednc

WNpednc

图8:LTC3309A在突发模式工作时的瞬态响应。WNpednc

总结

得益于晶圆制造技术的线宽缩小,高性能数字IC(例如GPU、FPGA和微处理器)呈现电流需求迅速增加和工作电压下降的发展趋势。电流和电压需求只是整个电源设计的一个部分。数字IC的进步还提出了许多其他要求,包括快速瞬态响应、低EMI、低噪声/纹波,以及高效工作以减少热量。WNpednc

传统上,数字IC采用LDO稳压器或基于电感的开关稳压器控制器以及板外电源设备供电。随着对电源性能和尺寸要求的提高,在许多情况下,这些传统方法不能再胜任这项任务。ADI公司新一代的单片式电源则能够完全胜任,这些产品包括LTC3310S、LTC3309A、LTC3308A和LTC3307A,分别支持10A、6A、4A和3A。这些高功率密度的Silent Switcher和Silent Switcher 2降压稳压器采用高散热效率、紧凑的倒装芯片层压式封装,并具有多种特性组合,可满足多种数字IC电源问题的需求。WNpednc

(原文刊登于ASPENCORE旗下Electronic Products网站,参考链接:High-power-density digital ICs call for a new generation of power regulators。)WNpednc

本文为《电子技术设计》2020年01月刊杂志文章,版权所有,禁止转载。免费杂志订阅申请点击这里WNpednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
您可能感兴趣的文章
  • 升压放大器让设备兼具小身材和大音量 消费者现在都用非常小巧的设备来听音乐,但是锂电池和低压电源通常不能实现大音量的音频效果。升压放大器因其可以增加响度,同时能实现极小尺寸的封装和超低的功耗日渐流行。
  • 独石电容、瓷片电容、陶瓷电容什么关系? 独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容,整体构造上看独石电容和瓷片电容的区别是:独石电容是多层陶瓷电容的别称,独石电容是由多层介质和多对电极构成的,而瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的,瓷片电容分为高频瓷介和低频瓷介两种。
  • 提高极低压差稳压器输出电流,实现均匀散热的并联设计 本文说明如何将3 A LT3033极低压差稳压器(VLDO)并联产生3 A以上电流并改善散热情况。利用LT3033的内置输出电流监测功能可以简化并联电路的设计,实现均流。
  • 小米引爆的GaN快充离成熟还差一步 EDN上的文章《一文看懂小米捧红的氮化镓快充到底是什么?》对GaN技术进行了详细科普。本文就来讨论下这项技术的现状以及未来又会有何发展。
  • 2020:消费电子产品未来几年趋势预测 一年伊始,正是对未来做些预测的时候。作者对未来几年消费电子产品的发展趋势提出了自己的观点。他认为,深度学习、自动驾驶汽车、5G设备、处理器、电池等将会快速发展,其中深度学习会影响未来的许多应用,包括自动驾驶汽车、网络安全,甚至各国的选举。
  • 小米GaN氮化镓充电器实用吗?我们对比了五款65W PD充电 2020年2月小米一口气更新了多款65W PD充电器,包括使用了氮化镓的小米GaN充电器、多口小米2A1C充电器、魔改A口PD充电器等等,应该是单月内发布最多同功率充电器的品牌商了。他们之间功率器件不同、协议不同、设计不同、价格也不同,小编整理了小米最热门的五款65W充电器,细说他们之间的不同之处。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告