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我国自主研发5G微基站射频芯片流片成功,正在封装测试

2020-03-05 网络整理 阅读:
我国自主研发5G微基站射频芯片流片成功,正在封装测试
HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准,南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率,完全可与国际巨头的同类产品对标。

日前,科技日报报道称我国首个5G微基站射频芯片YD9601,在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功,目前正在进行封装测试。TQzednc

5G基站分为宏基站和微基站两种:TQzednc

  • 5G宏基站主要用于室外覆盖,5G微基站主要用于室内,发射功率较小(一般200毫瓦以内),广泛用于机场高铁等候区域、商业场所、商业楼宇、学校医院、园区工厂和社区家庭等场景;
  • 5G微基站可以以较低成本有效解决室内覆盖区域的容量(如机场、高铁和商业场等热点区域)和覆盖问题(如商业楼宇和家庭)。

“5G微基站射频芯片项目是我们自主研发的有线射频宽带芯片组的拓展。”国家特聘专家、美国麻省理工学院博士王俊峰介绍说,在推出5G微基站射频芯片之前,公司通过研发有线射频宽带HiNOC2.0芯片,拥有了长期的射频芯片技术积累。TQzednc

TQzednc

据悉,HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准,南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率,完全可与国际巨头的同类产品对标。在中国广播科学研究院进行的标准测试中,搭载这组芯片的设备在85dB的线路衰耗下仍可接入,相比对标的国际巨头同类产品,抗衰减能力提升了10dB左右,这使其更能适应国内复杂、恶劣的网络环境。TQzednc

据了解,去年4月中国工程院院士倪光南领衔的专家组对的HiiNOC2.0芯片组进行技术鉴定,认定该芯片组在系统性能上达到了国际同类产品的先进水平,而其中射频芯片部分性能优于国际同类产品。TQzednc

HINOC2.0芯片包括射频芯片、终端基带芯片、局端基带芯片。TQzednc

其中,YD6901是一款高集成度低功耗的CMOS 射频收发芯片。该芯片符合HINOC2.0的规范,支持700MHz~1.1GHz频段和128MHz信道带宽,集成了频率综合器,发射器和高灵敏度接受器等关键模块。发射器支持高达9dBm的发射功率,无需外接功放即可满足千兆接入要求。TQzednc

YDS6501/YDS6601 是一款高集成低功耗的高速基带SoC。该芯片符合HINOC2.0 规范,支持128MHz信道带宽和高达4096QAM的调制方式,可轻松实现1Gbps的高速接入。芯片集成了TDMA的调度器、高性能的物理层OFDM收发器、以太网接口等关键模块,并可满足DBA,802.1q等QoS要求。YDS6501/YDS6601与YD6901配合使用,可支持千兆上网,4K高清视频传输和VoIP等全方位通讯业务,给用户带来完美的体验。TQzednc

TQzednc

YD9601不光覆盖700MHz广电频段,也兼容了工信部2月初刚刚颁发许可的3.3-3.4GHz的电信/联通/广电共享室内频段,可以说是为5G时代室内共享微基站量身定做的芯片。TQzednc

(责编:Demi Xia)TQzednc

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