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三星、海力士、铠侠和英特尔的3D NAND技术更新 (2021版)

2021-03-16 阅读:
在近日IEEE国际固态电路会议上,有四家主要的3D NAND闪存制造商,都展示了最新的3D NAND技术,包括三星、SK hynix、铠侠Kioxia(+ 西部数据)、以及英特尔。 其中前三者分享了自己的3D TLC NAND设计,而英特尔展示的是144层3D QLC NAND。

在近日IEEE国际固态电路会议上,有四家主要的3D NAND闪存制造商,都展示了最新的3D NAND技术,包括三星、SK hynix、铠侠Kioxia(+ 西部数据)、以及英特尔。ooNednc

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其中前三者分享了自己的3D TLC NAND设计,而英特尔展示的是144层3D QLC NAND。ooNednc

(EDN编辑注:TLC与QLC的区别:ooNednc

TLC,三比特单元(每个Cell单元储存3个数据,有23=8个状态,不详列,如上图,有八种不同电压状态),成本低,容量大,但寿命越来越短(理论可擦写1500次),但随着技术的成熟,目前寿命问题已经得到解决,并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。ooNednc

  QLC,四比特单元(每个Cell单元储存4个数据,有24=16个状态,不详列,如上图,有十六种不同电压状态),成本更低,容量更大,但寿命更短(理论可擦写150次),想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。)ooNednc

另外两家同样有3D NAND闪存产品的美光、以及长江存储都没有参加。其中美光去年年底宣布推出176L 3D NAND。ooNednc

三星、SK hynix、铠侠Kioxia西部数据)3D TLC技术更新

三星,SK hynix和Kioxia / WD介绍了有关其下一代3D TLC的信息。 ooNednc

(美光的176L TLC未在此处显示,因为他们尚未针对最新一代的3D NAND发布大部分数据。)ooNednc

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毫不奇怪,三星似乎将以最低的读取延迟和最快的写入速度,在性能上领先。但是,尽管他们声称这一代产品的提升达到70%,但它们的位密度仍然明显滞后。ooNednc

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三星实际的层数暂时仍在保密。ooNednc

SK hynix和Kioxia / WD所描述的TLC部件看起来相当相似,但区别在于SK hynix的是512Gb芯片,而Kioxia的是1Tb芯片。ooNednc

尽管Kioxia吹捧更高的NAND接口速度,但两种设计都具有相似的性能和密度。ooNednc

Kioxia和Western Digital发布了一个新闻稿,宣布了162层3D NAND,因此它们的总层数落后于SK hynix和Micron。ooNednc

该新闻稿还提到,其cell阵列的水平密度提高了10%。ooNednc

英特尔在3D QLC的技术更新

今年唯一在ISSCC上进行QLC更新的公司是英特尔。ooNednc

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总的来说,英特尔比其他任何竞争对手都更加注重QLC NAND。ooNednc

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这款144L QLC是英特尔没有与美光科技共同开发的第一代3D NAND。ooNednc

因为仅有144层,英特尔几乎可以肯定现在是层数的落后者。与9X层的QLC相比,英特尔具有更好的性能和密度——但是SK hynix和Kioxia描述的新型TLC的QLC版本应具有可比的密度。英特尔已经放弃使用96L QLC的方式来描述块大小,但144层NAND的48MB块尺寸看起来也很大。ooNednc

责编:胡安ooNednc

  • 小编缺了QLC的图了, 其实QLC中现在较为成熟的14个状态,一头一尾可能会不用了。
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