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SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成,将用于英特尔下一代服务器

2023-05-31 16:09:07 EDN综合报道 阅读:
SK 海力士被视为向在服务器市场获得大型合作伙伴迈进了一步。

据EDN获悉,SK海力士本周二宣布已完成第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM) 技术的开发,并已在英特尔数据中心认证内存计划中启动验证。iBhednc

英特尔占据了全球服务器市场 80% 以上的份额。验证完成后,SK 海力士的先进技术 DRAM 将用于英特尔下一代服务器使用平台 Xeon Scalable 处理器。根据市场数据追踪机构 Omdia 的数据,预计到 2024 年 DDR5 将占服务器 DRAM 市场的 51%,首次超过 DDR4 的 49%。iBhednc

SK 海力士被视为向在服务器市场获得大型合作伙伴迈进了一步。iBhednc

【SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps(每秒6.4千兆比特),公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品相比,数据处理速度提升了33%。另外,公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”工艺,与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。】iBhednc

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图:SK 海力士公司的第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM) iBhednc

SK 的 DRAM 开发负责人 Kim Jong-hwan 表示:“在我们的 1anm 服务器 DDR5 产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性成功验证后,SK 海力士预计 1bnm DDR5 产品与英特尔的验证过程将顺利进行。”iBhednc

Kim补充说,第五代10纳米工艺将被用于更广泛的产品,例如明年上半年的高带宽内存产品HBM3E。iBhednc

其他竞争对手

在DRAM厂商中,美国美光科技率先打开了第五代10纳米DDR5产品的大门。美光去年11月宣布量产,但业界估计该技术严格涉及13纳米制程技术。【点击查看报道:美光DDR5为第四代英特尔至强可扩展处理器家族带来更强的性能和可靠性iBhednc

全球最大的存储芯片制造商三星电子也于5月开始量产第五代10纳米产品。与其前代型号相比,其 12 纳米 16Gb DDR5 DRAM 的工作效率提高了 20%。三星电子已完成与美国芯片公司AMD的兼容性测试。【点击查看报道:三星开始量产先进的12nm DDR 16Gb DRAMiBhednc

内存行业正在全力供应下一代DDR5,因为它预计随着ChatGPT等生成AI技术的广泛使用,需求将会增长。【点击查看报道:ChatGPT带动数据中心混合式存储方案走红iBhednc

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图:SK 海力士公司的第五代 10 纳米动态随机存取存储器 (DRAM) iBhednc

责编:Echo
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