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美光发布232层3D NAND闪存,良率稳定后将向继续3xx层架构开发

2022-05-13 13:40:21 EDN综合报道 阅读:
美光公司本周四刚刚公布了自己的232层NAND新品,计划在2022年末开始增加生产,新的 232 层 3D NAND 产品可用于各种产品,包括固态硬盘。新产品特点如下: 232 层 3D NAND 闪存采用

美光公司本周四刚刚公布了自己的232层NAND新品,计划在2022年末开始增加生产,新的 232 层 3D NAND 产品可用于各种产品,包括固态硬盘。r8vednc

新产品特点如下:

  • 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构,原始容量为 1Tb(128GB)。
  • 该芯片基于美光的 CuA 架构,并使用 NAND 字符串堆叠技术,在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。
  • CuA 设计加上 232 层 NAND,将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸,这有望降低生产成本,使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价,或者增加其利润率。
  • 美光没有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量,但暗示与现有的 3D NAND 设备相比,新的内存将提供更高的性能,这对采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特别有用。  
  • 与上一代节点相比功耗更低。

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美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出,该公司已经与内部和第三方 NAND 控制器开发者密切合作,以实现对新型内存的支持。考虑到美光将在 2022 年年底开始生产 232 层 3D TLC NAND 设备,预计采用新内存的固态硬盘将在 2023 年左右到来。r8vednc

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从美光公布的NAND技术路线图可以看出,在2YY层量产稳定后,美光将继续3xx架构开发。r8vednc

责编:Echo
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