4月17日，欧洲知名的RISC-V IP内核供应商Semidynamics宣布了世界上第一个完全可定制的64位RISC-V内核系列，为人工智能、机器学习(ML)和高性能计算(HPC)等应用处理大量数据提供了理想的选择。

美国商务部长吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 日前表示，未来几年美国将缺少大约 100,000 名半导体技术人员，这是个大问题，这也是一个机会。

近日，韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学所组成的研究团队共同开发出一种纳米激子晶体管。经过多年的研发和实验，这项新技术将可以克服当前晶体管技术所面临的局限性，极具前景。该研究工作最近发表在国际纳米研究领域权威期刊《ACS Nano》杂志上。

在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。

4月19日，据外媒The Information消息，微软公司正在开发自己的人工智能（AI）芯片，为聊天机器人ChatGPT背后的关键技术提供动力，以降低训练生成人工智能模型的成本。

据EDN电子技术设计引援韩媒报道称，三星“Exynos 2400”芯片预计将于明年发布，并再次搭载在三星智能手机Galaxy上，韩媒称“Exynos 2400”将基于新推出的尖端芯片技术实现翻天覆地的变化。

据EDN电子技术设计报道，英特尔今日官宣旗下芯片代工部门（IFS）和Arm宣布了一项多代协议，以确保使用Arm技术的手机芯片和其他产品能够在英特尔的工厂生产。

一位个人资料声称是AMD工程师的LinkedIn用户@Md Zaheer 公开了AMD Zen 6 处理器的代号和工艺节点。据报道，Zen 6 芯片采用了 2nm 制造工艺。

据英国《新科学家》杂志网站报道，英国科学家开发了一种技术，利用激光在生物体内3D打印出导电电路，这项技术未来有望用于创建和维护人体植入物或脑机接口。相关研究刊发于最新一期《先进材料技术》杂志。

从中国科学技术大学官网获悉，该校国家同步辐射实验室宋礼教授团队基于插层型锌离子电池正极材料的同步辐射谱学表征，提出了插层剂诱导Vt2g轨道占据的概念，开发了具有快速充电性能的铵根插层五氧化二钒锌离子电池正极材料。

电源的尖峰可能会损坏车辆中的电子设备或导致致命的电击。

据外媒报道，iPhone 15 Pro和Pro Max版本将使用一个新的超低能耗微处理器，允许某些功能，如新的电容式固态按钮，即使在手机断电或电池耗尽的情况下也能保持功能。

最近有消息称，三星正在秘密开发名为Exynos 2500的新一代移动芯片，这款芯片将搭载三星自主研发的GPU，但也会使用AMD的技术。

近日，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出10nm超短沟道弹道二维硒化铟(InSe)晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过Intel商用10nm节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。