nRF51系列是Nordic Semiconductor公司的第三代2.4GHz超低功耗(ULP)无线连接解决方案。

LM317的标准和经典之处在于它是一款可调节三端正电压的稳压器。它的另一个简易、重要的配置在于有两个终端的电流稳压器。当把调整终端与输出终端连接在一起时，LM317就会转化为一个二端元件，功能类似一个1.5V的高电流稳压二极管。

Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED,器件可处理70mA驱动电流并实现4900mcd发光强度，采用小尺寸2.3mm x1.3mm x 1.4mm SMD封装，热性能提到325K/W.

高能效、超低功耗能源收集器和充电器可提升灵活性，简化设计并扩展应用范围.

Vishay新款薄膜MELF电阻具有业内最高水平的精度和稳定性,器件采用0207外形尺寸，在业内首次实现±5ppm/K的TCR、±0.02%的容差和350V工作电压.

意法半导体(ST) 推出新的防潮射频功率晶体管，加强在射频功率市场的表现,注胶密封封装提高目标应用在恶劣环境下的耐用性和可靠性.

力攻墨西哥市场,扬智科技与韩国LG及深圳九洲电器合作推出ATSC机顶盒方案

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET,非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC转换器中可节省空间.

又是一年高交会电子展，各大厂商分别展出了自己的最新技术。然而，与往年不同的是，东芝半导体&存储产品公司展台吸引了络绎不绝的观众来此参观——这是东芝公司首次参加高交会，带来的产品也颇具特点。

英飞凌科技股份公司今日宣布，在今年的电气自动化系统及元器件(SPS IPC Drives)贸易展上，英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。

全球40%的电能是被电机消耗的，在提升工厂自动化水平这一需求的推动下，提高工业电机功率效率和性能的需求水涨船高。

IGBT失效的主要原因是过温。对于低电压、小电流的逆变系统设计，技术已经非常成熟，然而，对于高电压、大电流的应用，技术难度激增。

微控制器和FPGA对IGBT和IPM等大功率开关设备产生的噪声非常敏感，需要把产生很多噪声的IPM传动系统与敏感的控制电路进行电隔离，这种应用恰好是通常被称为IPM驱动的一类高速光耦的理想应用。

积极拓展产品应用领域和先进技术 GTAT谋求新一轮增长。