宾夕法尼亚州立大学与安森美宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。

本文将讨论使用分立或完全集成式GaN HEMT实现USB Type-C功率传输（PD）设计中常见拓扑架构的可选方法，还将介绍集成开关控制器（在适用的拓扑架构场景下）的优点。

在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。

两家公司合作开发高性能储能和太阳能组串式逆变器方案，以实现可持续的未来

意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。

我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

5月9日，瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块。

全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块，具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on)，采用行业标准封装

新器件有6种型号，适用于400-800V电池系统

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分，可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。

互动性的演示将突出EliteSiC技术在汽车和工业领域的应用

过去20多年，CMOS PA技术竞争可谓“激荡回肠”，一些参与者消弭无迹，一些参与者却在科技巨头兼并整合之下悄然成长。过去十年，一些中国本土PA企业也涉入CMOS PA，扎根技术研发，取得了一定的进展，甚至在一些细分领域已有赶超全球先进水平之势。如今看来，伴随物联网蓬勃而来，CMOS PA在未来十年内仍将是芯片工艺技术针对性能和成本的最佳选择。

随着可持续的能力提高以及成本降低，带动快速充电技术的进步，可望成为电动汽车(EV)快速充电站扩展的主要推动力，并进而推动电动汽车市场增长…