我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

5月9日，瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块。

全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块，具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on)，采用行业标准封装

新器件有6种型号，适用于400-800V电池系统

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分，可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。

互动性的演示将突出EliteSiC技术在汽车和工业领域的应用

过去20多年，CMOS PA技术竞争可谓“激荡回肠”，一些参与者消弭无迹，一些参与者却在科技巨头兼并整合之下悄然成长。过去十年，一些中国本土PA企业也涉入CMOS PA，扎根技术研发，取得了一定的进展，甚至在一些细分领域已有赶超全球先进水平之势。如今看来，伴随物联网蓬勃而来，CMOS PA在未来十年内仍将是芯片工艺技术针对性能和成本的最佳选择。

随着可持续的能力提高以及成本降低，带动快速充电技术的进步，可望成为电动汽车(EV)快速充电站扩展的主要推动力，并进而推动电动汽车市场增长…

微机电铸造（MEMS-Casting）是一项将微纳原理引入宏观的铸造，可以在晶圆级实现复杂微金属结构批量铸造的技术。作为一项适合于在晶圆上批量制造复杂金属微型结构的技术，微机电铸造技术可以灵活方便地在晶圆一次成型螺线线圈，从而可以实现MEMS芯片式线圈。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

近日，蓉矽半导体成功实现国内最低导通电阻产品1200V 12mΩ SiC MOSFET量产突破，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性要求，为高质量国产替代提供了坚实保障。

本文提出了一种基于串联DAB的OBC，它使用并行功率处理来提供基于标准Si 650V MOSFET晶体管的高性能和低成本解决方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚集团推出与意法半导体（ST）共同开发的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22kW OBC结合3kW DC/DC直流输出汽车充电器方案。

在国内新能源车市场，特斯拉称得上是最大的“鲶鱼”，一举一动总能搅动起不小的“水花”。