在更高开关频率的应用中，基于SiC的组件相比IGBT组件更具优势。SiC技术还为800V电池的开发提供了设计优势。它可以缩小OBC系统的尺寸并提高“从发电到驱动”的整体效率。

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

有证据表明，GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求，同时让能源使用得到进步。

东芝今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还采用了极为通用且节省空间的小型封装。

意法半导体的IPS8160HQ和IPS8160HQ-1高边开关具有八路功率输入输出，采用尺寸紧凑的QFN48L封装，还附加很多安保诊断功能。

在本文中，我将对不同的电机控制实现方案进行比较，包括分立式和完全集成式选项，从而帮助您找到适合您设计的方法。

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。

东芝宣布推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。

6月8日，在由国际科技媒体集团Aspencore主办的2023国际AIoT生态发展大会智能网联汽车分论坛上，基本半导体、泰克科技、英伟达、易特驰等，来自芯片、方案及应用领域的厂商齐聚一堂，从碳化硅功率器件到车规级超大算力芯片，从以太网测试技术到汽车软件开发的整车OS，共话智能网联汽车。

在设计USB PD适配器和充电器时，要满足COC V5 Tier2 等最新的能效标准，并考虑小型化设计以配合移动便携式设备等轻薄短小但功能丰富多样的趋势。

在由AspenCore主办的2023国际AIoT生态发展大会的智能网联汽车分论坛上，深圳基本半导体有限公司器件研发总监张学强发表了“未来已来——功率半导体的碳化硅时代”主题演讲。

全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松；简化设计和制造，同时保证性能。

器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平

尼得科和瑞萨电子已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。