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新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产

2023-04-27 综合报道 阅读:
近日,蓉矽半导体成功实现国内最低导通电阻产品1200V 12mΩ SiC MOSFET量产突破,首批次量产平均良率高达80%,满足车规主驱芯片的高可靠性要求,为高质量国产替代提供了坚实保障。

导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET

自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC® MOSFET量产后,蓉矽半导体再接再厉,1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产,首批次量产平均良率高达80%,满足车规主驱芯片的高可靠性要求,为高质量国产替代提供了坚实保障。O01ednc

自成立之初,蓉矽半导体就一直坚守正向研发路径,每款产品都来自实际市场应用需求。在应用端客户关心的驱动电压上,同时推出了15V驱动与20V驱动两种SiC MOSFET产品,从产品设计端开始就着力解决客户所需。O01ednc

在封装型号上,蓉矽半导体推出了TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式。全系列产品均采用环保物料,完成了RoHS、REACH认证,获取了SGS报告,全面满足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的应用需求。O01ednc

作为一家专注碳化硅功率半导体器件设计的公司,蓉矽半导体经过三年的努力,完成了从材料、晶圆到封测的全工艺链整合。自今年起,蓉矽半导体全SiC系列产品实现了稳定的保质保供,为客户方案导入、批量生产提供了强有力的支持。O01ednc

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关于蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。O01ednc

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。O01ednc

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,涵盖设计、晶圆制造和封测等环节,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。O01ednc

责编:GreatAE
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