采用集成线性化电容器方案的氮化镓智能电源模块（IPM），与硅技术相比，在用于电机驱动应用时的功率损耗显著降低，同时也不会出现影响可靠性和EMI兼容性的高开关速率问题。

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。 

在2021年慕尼黑上海电子展上，本土功率器件厂商瑞能半导体科技股份有限公司半导体市场部总监谢丰就该公司包括SiC在内的最新的功率器件技术向媒体朋友做了详细解读。

工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造，涉及信息物理系统(CPS)、物联网(IoT)/工业物联网(IIoT)、云计算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多种技术，可实现经济增长和利润最大化，提高生产效率，并避免人力在执行某些任务时的安全隐患。安森美半导体为工业自动化提供全面的高能效创新的半导体方案。

为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC拓扑结构，包括传统PFC、半无桥PFC、双向无桥PFC和图腾柱无桥PFC。其中，图腾柱PFC(图3)由于减少了元器件数量，降低了导通损耗，且能效高，因而广受欢迎。

碳化硅和IGBT等功率器件新品现场解锁 多场景应用“火力全开”

本文将讨论直流计量在电动汽车充电站、可再生能源发电、服务器场、微电网和点对点能源共享方面的发展机会，并介绍一种直流电表设计。

在所有功能方面，宽带隙器件都能够胜过硅，现在应用宽带隙器件的主要障碍是成本、易用性和所需要的可靠性。

器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第四篇，【当代材料电学测试课堂】系列之四：宽禁带材料测试。

谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用更具吸引力，这些器件在高效硬开关拓扑结构中表现出非常好的耐用性，因而是实现千瓦级电源解决方案功率因数校正（PFC）应用的理想选择。而且，由于它们还支持更高的开关频率，因此可以选择较小的磁性元件，从而缩小了许多设计的体积。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月22日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列高压厚膜片式电阻---CRHA。Visha

中国，2021年3月22日——STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产

英飞凌推出车用650V CoolSiC混合分立器件。该器件包含一个50A TRENCHSTOP 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。