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资讯
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功率器件
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功率器件
Nexperia发布用于高速数据线路的紧凑型“二合一”保护器件
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系统稳健性
综合报道
2021-02-03
接口/总线
安全与可靠性
数据中心
接口/总线
工信部提出突破电子元器件关键技术,让一批企业营收先破百亿
工业和信息化部日前正式印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》,将面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破。在技术创新上,《行动计划》提出突破一批电子元器件关键技术,行业总体创新投入进一步提升,到2023年,我国电子元器件销售总额达到2.1万亿元,力争15家企业营收规模……
综合报道
2021-02-01
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
超宽带(UWB)技术基础及其测试方法
超宽带(UWB)技术是一种利用纳秒级的窄脉冲进行数据传输的无线通信技术。它既不同于传统的窄带通信技术,也不同于广泛用于宽带通信的OFDM技术,UWB信号的超大带宽和极低功率对测试方法和测试仪表提出了新的需求和挑战
2021-01-14
测试与测量
传感器/MEMS
制造/工艺/封装
测试与测量
用氮化镓消除激光雷达的障碍
在实际的激光雷达系统中,传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制,MOSFET的沟道必须很大,这会导致寄生电容的充电时间过长,从而导致开关频率太低而不满足应用所需。此外,散热管理要达到良好的效果,就需要使用大体积、大重量的散热器。
Davide Di Gesualdo
2021-01-11
汽车电子
功率器件
电源管理
汽车电子
一种陶瓷贴片电容失效率以及寿命的评估方法
随着陶瓷贴片电容朝着小型化、大容量的趋势发展,陶瓷电容的规格越来越极限,设计余量也越来越小。近年来,在陶瓷电容选型阶段,用户也越来越关注电容的失效率和寿命。 本文分别介绍了用于评估偶然失效阶段失效率和损耗失效阶段寿命的方法,两种方法同步运用,能够有效对陶瓷电容的可靠性进行综合评估。文章举例计算了某品牌规格为X7S-6.3V-47μF±20%-1210电容的失效率和寿命,结果显示该规格电容在100℃、3.3V条件下偶然失效阶段的失效率为7Fit,此条件下寿命约为8.1年。
杨航,唐丹,任晓琳,王波
2021-01-06
制造/工艺/封装
新材料
模拟/混合信号/RF
制造/工艺/封装
从微观结构分析一种波峰焊工艺造成的陶瓷电容失效
造成陶瓷电容绝缘电阻降低常见的失效现象有裂纹、空洞、内电极缺陷等。本文介绍了一个失效案例,使用波峰焊接的陶瓷电容在服役一段时间后绝缘电阻降低,但切片未发现电容内部任何异常点,通过多组对比试验,本文从电容的微观结构对失效进行了分析和机理解释。
杨航,王波,丁亭鑫
2021-01-06
制造/工艺/封装
模拟/混合信号/RF
功率器件
制造/工艺/封装
工业市场是缺乏创新还是大有作为?
意法半导体(ST)2020年举办的工业峰会让我们大有改观——这个活动让我们了解到,很多的创新,比如家庭机器人、平衡车,以及宽禁带技术等,都是先出现在工业领域,然后再往消费类市场渗透。
赵明灿
2020-12-31
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器
随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用,更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康,并延长其使用寿命。
Power Electronics News编辑团队
2021-01-04
放大/调整/转换
电源管理
功率器件
放大/调整/转换
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
随着电池和超级电容等高效储能设备的大量使用,朝向更好的电流控制发展成为一种趋势。双向DC/DC转换器可以保持电池健康,并延长其使用寿命。
Power Electronics News编辑团队
2020-12-21
FPGA
FPGA
2021年被动元器件“看涨看跌”?分销商如何再造富?
2020年末,芯片和元器件市场缺货、涨价大爆发,被动元器件作为近两、三年的神奇类别,“造富、缺货、替代、寻料、创新”等话题环绕左右,热点不衰!那么,2021年被动元器件供需走势如何?分销商还能再造神话吗?
2020-12-15
分立器件
功率器件
模拟/混合信号/RF
分立器件
简化汽车车身电机控制器设计,快速实现轻量化
无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱,车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。MOSFET是控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计(包括电磁干扰(EMI)和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护)带来了新的技术性挑战。
德州仪器
2020-12-14
汽车电子
功率器件
技术实例
汽车电子
三种降低开关电路中有害dv/dt瞬变的方法
本文介绍了三种将dv/dt从45V/ns降至5V/ns而不带来过长开/关延迟时间的方法:使用外部栅漏电容器、对器件增加RC缓冲电路,以及使用JFET直接驱动。
李中达博士,资深研发工程师,UnitedSiC公司
2020-12-30
FPGA
FPGA
Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管,具有行业领先的ESD性能
兼容AOI;出色的RF性能
综合报道
2020-12-02
模拟/混合信号/RF
功率器件
分立器件
模拟/混合信号/RF
从Si转向SiC和GaN设计需要额外的专业知识和设计考量
硅(Si)基半导体的出现比宽禁带(WBG)半导体早了几十年,如果要转向采用SiC或GaN功率半导体器件实现最佳设计,需要更多的专业知识和技巧,并在几个方面谨慎考虑,如开关拓扑、电磁干扰(EMI)、布局、并联以及栅极驱动器的选择。另外,解决可靠性和成本问题也很重要。
Gina Roos
2020-11-30
功率器件
电源管理
产业前沿
功率器件
碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估
臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2019年底,臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室,并签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。
2020-11-24
功率器件
分立器件
制造/工艺/封装
功率器件
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