为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC拓扑结构，包括传统PFC、半无桥PFC、双向无桥PFC和图腾柱无桥PFC。其中，图腾柱PFC(图3)由于减少了元器件数量，降低了导通损耗，且能效高，因而广受欢迎。

碳化硅和IGBT等功率器件新品现场解锁 多场景应用“火力全开”

本文将讨论直流计量在电动汽车充电站、可再生能源发电、服务器场、微电网和点对点能源共享方面的发展机会，并介绍一种直流电表设计。

在所有功能方面，宽带隙器件都能够胜过硅，现在应用宽带隙器件的主要障碍是成本、易用性和所需要的可靠性。

器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第四篇，【当代材料电学测试课堂】系列之四：宽禁带材料测试。

谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用更具吸引力，这些器件在高效硬开关拓扑结构中表现出非常好的耐用性，因而是实现千瓦级电源解决方案功率因数校正（PFC）应用的理想选择。而且，由于它们还支持更高的开关频率，因此可以选择较小的磁性元件，从而缩小了许多设计的体积。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月22日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列高压厚膜片式电阻---CRHA。Visha

中国，2021年3月22日——STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产

英飞凌推出车用650V CoolSiC混合分立器件。该器件包含一个50A TRENCHSTOP 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

备注：这是一款免费注册的简单在线工具，能让工程师能够迅速、自信地制定设计决策。2021年3月16日，新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC推出了FET-Jet计算

33W氮化镓充电器不仅可以为iPhone 12快充，而且价格还比苹果20W充电器便宜很多。因此，本文就来探讨一下价格相差一倍的两款充电器在性能上有何区别。

尽管GaN的成本仍然是其受到业界广泛采用的一大障碍，但GaN FET所能实现的性能，包括效率和密度的提高，最终都将对开关电源解决方案的总成本产生积极影响。本文详细研究了基于GaN的PFC整流器，并回顾了GaN无桥PFC拓扑、控制和性能。

根据最新调查结果显示，对于尚未考虑抛弃传统内燃机车辆的消费者来说，对电动汽车电池续航能力的担忧，仍是阻碍其购买电动汽车的最重要因素。为了解决这一问题，半导体技术正在不断创新，为实现更快的充电速度和更高的电动汽车续航里程铺平道路。

本文所介绍的电流负载设计简单而又准确，它只需要使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建。还可以将这个电流负载设置成恒定电阻，这在测试某些电源时就非常有用。