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三星5nm EUV工艺完成,功耗降低20%

时间:2019-04-16 作者:EDN China 阅读:
继台积电后,三星在官网上宣布,已经成功完成了5nm EUV开发,并且相应的样品已经给客户送去,而由于加入了EUV(极紫外线光刻)技术,在更先进工艺制程加持下,可以让芯片拥有更好的功耗和性能。

继台积电后,三星在官网上宣布,已经成功完成了5nm EUV开发,并且相应的样品已经给客户送去,而由于加入了EUV(极紫外线光刻)技术,在更先进工艺制程加持下,可以让芯片拥有更好的功耗和性能。

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新工艺下的表现是怎么样的呢?三星强调,与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而获得更多创新的标准单元架构。与7nm LPP一样,三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技术,并减少了掩模层,同时提供更好的保真度。

三星表示,5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm专利应用到5nm。因此,7nm客户过渡到5nm将极大的降低成本,预先验证的设计生态系统,能够缩短他们5nm产品的开发时间。

随着格芯(GF)、联电的退出,目前能够做7nm以及更先进工艺晶圆的厂商就只剩下了三星、台积电和Intel,但由于Intel其晶圆厂产能问题,因此Intel并不和台积电直接竞争,那么三星在10nm节点以下的唯一对手就剩台积电了,但在本月初,台积电就已经宣布了其5nm工艺已经进入试产阶段,相比之下三星的脚步还是慢了一拍。

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