广告

富士康电子被动器件准入机制及Commodity管理介绍

2020-12-22 赵明灿 阅读:
在“高性能被动元器件”论坛上,据富士康全球采购总处资深处长江岳峰介绍,今年受疫情的影响,宅经济发酵比较明显。5G手机卖得比较好,与之相关的领域也就比较好,如下面的2020和2021年六大产业成长预测所示。

据富士康全球采购总处资深处长江岳峰介绍,今年受疫情的影响,宅经济发酵比较明显。5G手机卖得比较好,与之相关的领域也就比较好,如下面的2020和2021年六大产业成长预测所示。nybednc

nybednc

他指出,富士康被动元件的进口金额大概占全中国进口量的1/10,有机会到1/9——富士康现在在中国大陆本地买的产品还比较少,因为大陆供应商的品质和技术水平和日韩比还是有点距离。但是他同时认为,大陆的厂商还是有机会追赶上。nybednc

从下图可以看到,目前被动元件的采购额还是以MLCC居多,然后是铝电、钽电、电感、晶振和电阻。同时,中国的交易金额占到全球的五六成左右。他认为,中国大陆的被动元件厂商在5G时代将会有更大的机会,但是MLCC要想赶上国际厂商水平至少还需要五年。但这也不是绝对,具体要看怎么做。nybednc

nybednc

下面是他列出的机会、挑战与建议。nybednc

nybednc

他介绍说富士康的采购除了会对市场需求做分析之外,还会对供应商的布局做一定程度研究,比如会去考量某个供应商在产品线上的布局,它跟上游厂商的配合关系,它的产品线的广度、深度怎样,然后做出集团的采购策略。nybednc

另外还会去做技术分析,比如LTCC滤波器厂商的材料、设计和制程的状况,然后决定要选的供应商。nybednc

最后他对富士康准入机制进行了介绍。富士康的准入资格比较严格,如下所示。他并表示,富士康的采购欢迎业界有技术的同仁前来合作。但是要进入富士康也是蛮难的,因为富士康该有和不该有的供应商都有了,公司也会对采购做精简(任何公司都希望一站式采购多种元器件)。nybednc

nybednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
赵明灿
赵明灿是EDN China的产业分析师/技术编辑。他在电子行业拥有10多年的从业经验。在加入ASPENCORE之前,他曾在电源和智能电表等领域担任过4年的工程师。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用,更好的让电路工作在高频状态,减小电路中电感等元件体积重量,由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性,让电路中热沉的体积重量得到改善,便于优化电路的热设计,与此同时,应用了SOD123封装形式的该款器件,为功率二极管小型化提出了解决方案,更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF,小功率GaN适配器,驱动部分自举电路,高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场,有良好的市场反馈。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • 充分挖掘SiC FET的性能 功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。
  • Vishay推出峰值感光度波长达950nm的表面贴装汽车级四 器件适用于小信号探测,符合AEC-Q101标准,不透明封装信噪比优异,几乎无段间公差
  • 聚酰亚胺薄膜应用于数字隔离器 与传统的光耦合器相比,数字隔离器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具优势。数以十亿计的使用微变压器的数字隔离器已广泛用于许多市场,包括汽车、工业自动化、医疗和能源。这些数字隔离器之所以具有高压性能,主要原因在于:在堆栈式绕组变压器的顶部螺旋绕组和底部螺旋绕组之间使用了聚酰亚胺膜。本文将介绍数字隔离器的结构,其中使用聚酰亚胺膜作为隔离层。为了满足多种安全标准,例如UL和VDE,数字隔离器需要具有承受短时耐受电压、浪涌电压、工作电压等各种高压性能。研究了聚酰亚胺在交流或直流等各种高压波形下的老化行为,并通过聚酰亚胺寿命模型推算出隔离器的工作电压。此外,还将讨论通过改进结构来改善聚酰亚胺的高压使用寿命。
  • Vishay蝉联BISinfotech颁发的2021年度BETA奖 公司被评为全球功率半导体领导者和无源元件年度领先供应商
  • 学子专区—ADALM2000实验:MOS差分对 本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。
  • 学子专区—ADALM2000实验:BJT差分对 目标本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先,我们需要做一些关于硬件限制问题的说明。ADALM2000系统中的波形发生器具有高输出带宽,该高带宽代来了宽带噪声
  • 开发基于碳化硅的25kW快速直流充电桩(第二部分):方案概述 在本系列文章的第一部分中,我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求,概述了这种充电器开发过程的关键级,并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在,在第二部分中,我们将更深入研究设计的要点,并介绍更多细节。特别是,我们将回顾可能的拓扑结构,探讨其优点和权衡,并了解系统的骨干,包括一个半桥SiC MOSFET模块。
  • Vishay推出新款薄型高抗冲击耐振动35A商用IHCM共模扼 器件可定制,适合表面贴装或插件组装,饱和电流达35A,直流阻抗低,可在高达+155℃温度下工作
  • Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供碳化 电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市
  • 派恩杰SiC MOSFET批量“上车”,拟建车用SiC模块封装产 派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,获得了新能源汽车龙头企业数千万订单,并已开始低调供货。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了