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OpenFive采用台积电5nm工艺成功流片RISC-V SoC

2021-04-14 10:54:11 EDN China 阅读:
最大的RISC-V架构厂商SiFive近日宣布,其OpenFive部门已成功采用台积电(TSMC)的N5工艺技术流片公司首个SoC,采用2.5D封装HBM3存储单元,带宽7.2Gbps。在半导体行业中,流片意味着芯片设计大功告成,一般会在一年内投入商用。

最大的RISC-V架构厂商SiFive近日宣布,其OpenFive部门已成功采用台积电(TSMC)的N5工艺技术流片公司首个SoC,采用2.5D封装HBM3存储单元,带宽7.2Gbps。在半导体行业中,流片意味着芯片设计大功告成,一般会在一年内投入商用。PT1ednc

该SoC可用于AI、数据中心、高性能计算等场景,并可由SiFive客户进一步定制以满足他们的需求。同时,该SoC的元件无需任何费力即可获得许可并用于其他N5设计。PT1ednc

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规格方面,芯片基于SiFive E76 32位CPU核,该核专为不需要全量精度的AI、微控制器、边缘计算等场景设计。据介绍,该SoC包含32位的CPU内核 SiFive E76,能够用于AI,微控制器,边缘计算以及其他不需要全精度的相对简单的应用。PT1ednc

它使用适用于2.5D封装的OpenFive的D2D(die-to-die)接口以及OpenFive的高带宽内存(HBM3)IP子系统,该子系统包括一个控制器和PHY,支持高达7.2 Gbps的数据传输速率,允许高吞吐量的存储器为计算密集型应用(包括HPC,AI,网络和存储)中的DSA加速器提供数据。PT1ednc

OpenFive的低功耗,低延迟和高度可扩展的D2D接口技术可通过使用2.5D封装中的有机基板或硅中介层将多个裸片连接在一起来扩展计算性能。PT1ednc

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责编:胡安PT1ednc

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