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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率

时间：2024-09-26 作者：东芝

 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗···

中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。6Rsednc

6Rsednc

最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构^[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的^[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。6Rsednc

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东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。6Rsednc

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应用：

光伏逆变器
电动汽车充电站
工业设备UPS的开关电源

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特性：

第3代1200 V SiC SBD
业界领先的^[2]低正向电压：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
低总电容电荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
低反向电流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)

主要规格：6Rsednc

（除非另有说明，Ta＝25 °C）6Rsednc

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器6Rsednc

器件型号6Rsednc	封装6Rsednc	绝对最大额定值6Rsednc				电气特征6Rsednc			样品查看与供货情况6Rsednc
		重复峰值反向电压VRRM（V）6Rsednc	正向DC电流IF(DC)（A）6Rsednc		非重复峰值正向浪涌电流IFSM（A）6Rsednc	正向电压6Rsednc （脉冲测量）VF（V）6Rsednc	反向电流6Rsednc （脉冲测量）IR（μA）6Rsednc	总电容电荷6Rsednc QC6Rsednc （nC）6Rsednc
			6Rsednc	温度条件6Rsednc Tc（°C）6Rsednc	f＝50 Hz6Rsednc （半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C6Rsednc	IF＝IF(DC)6Rsednc	VR＝1200 V6Rsednc	VR＝800 V，f＝1 MHz6Rsednc
			6Rsednc	温度条件6Rsednc Tc（°C）6Rsednc	f＝50 Hz6Rsednc （半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C6Rsednc	典型值6Rsednc	典型值6Rsednc	典型值6Rsednc
TRS10H120H6Rsednc	TO-247-2L6Rsednc	12006Rsednc	106Rsednc	1606Rsednc	806Rsednc	1.276Rsednc	1.06Rsednc	616Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS15H120H6Rsednc			156Rsednc	1576Rsednc	1106Rsednc		1.46Rsednc	896Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS20H120H6Rsednc			206Rsednc	1556Rsednc	1406Rsednc		2.06Rsednc	1096Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS30H120H6Rsednc			306Rsednc	1506Rsednc	2106Rsednc		2.86Rsednc	1626Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS40H120H6Rsednc			406Rsednc	1476Rsednc	2706Rsednc		3.66Rsednc	2206Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS10N120HB6Rsednc	TO-2476Rsednc		5（每个引脚）6Rsednc 10（双引脚）6Rsednc	1606Rsednc	40（每个引脚）6Rsednc 80（双引脚）6Rsednc	1.276Rsednc （每个引脚）6Rsednc	0.56Rsednc （每个引脚）6Rsednc	306Rsednc （每个引脚）6Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS15N120HB6Rsednc			7.5（每个引脚）6Rsednc 15（双引脚）6Rsednc	1576Rsednc	55（每个引脚）6Rsednc 110（双引脚）6Rsednc		0.76Rsednc （每个引脚）6Rsednc	436Rsednc （每个引脚）6Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS20N120HB6Rsednc			10（每个引脚）6Rsednc 20（双引脚）6Rsednc	1556Rsednc	70（每个引脚）6Rsednc 140（双引脚）6Rsednc		1.06Rsednc （每个引脚）6Rsednc	576Rsednc （每个引脚）6Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS30N120HB6Rsednc			15（每个引脚）6Rsednc 30（双引脚）6Rsednc	1506Rsednc	105（每个引脚）6Rsednc 210（双引脚）6Rsednc		1.46Rsednc （每个引脚）6Rsednc	806Rsednc （每个引脚）6Rsednc	在线购买6Rsednc
TRS40N120HB6Rsednc			20（每个引脚）6Rsednc 40（双引脚）6Rsednc	1476Rsednc	135（每个引脚）6Rsednc 270（双引脚）6Rsednc		1.86Rsednc （每个引脚）6Rsednc	1086Rsednc （每个引脚）6Rsednc	在线购买6Rsednc

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注：6Rsednc

[1] 改进型结势垒肖特基（JBS）结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。6Rsednc

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。6Rsednc

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如需了解新产品的更多信息，请访问以下网址：6Rsednc

TRS10H120H6Rsednc

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS10H120H.html6Rsednc

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SiC肖特基势垒二极管6Rsednc

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*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。6Rsednc

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。6Rsednc

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社6Rsednc

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。6Rsednc

公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,971亿日元（49.6亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。6Rsednc

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com6Rsednc

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责编：Ricardo

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