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“中国IC设计成就奖”提名产品简介:IPD滤波器IPD Filter优势

2022-02-28 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
IPD滤波器被认为是在sub-6G和毫米波频段上的最佳解决方案。它不仅克服了BAW、SAW无法很好支持5G宽带的劣势,而且与LTCC分离器件相比,IPD通常以裸芯片形式出现,有更好的一致性、更强的集成性、更小的尺寸,在成本上也有优势。

奖项类别:RF无线IC7GEednc

提名公司:芯和半导体科技(上海)有限公司7GEednc

提名产品:IPD滤波器IPD Filter7GEednc

推荐理由/产品简介:7GEednc

芯和在射频前端芯片及模组的设计方面,经过十年的产品研发,形成了在集成无源器件IPD和系统级封装SiP设计领域雄厚的开发经验和成功案例,并被Yole评选为全球IPD滤波器领先供应商。7GEednc

7GEednc

和半导体的IPD滤波器产品产品采用了集成无源器件IPD的晶圆工艺,采用光刻技术蚀刻出不同图形,形成不同的无源射频器件,实现高密度集成;这种IPD技术可以给电子系统带来多种好处,包括:节省电路板空间、可定制化、电性能更好、一致性更好、成本更低、IP保护、产品链供应和可靠性更好,逐渐成为射频前端模组首选滤波器解决方案。7GEednc

IPD滤波器被认为是在sub-6G和毫米波频段上的最佳解决方案。它不仅克服了BAW、SAW无法很好支持5G宽带的劣势,而且与LTCC分离器件相比,IPD通常以裸芯片形式出现,有更好的一致性、更强的集成性、更小的尺寸,在成本上也有优势。7GEednc

此产品工艺可以制作高精度、高密度(相比LTCC)的电容器,封装RDL工艺可以提供厚铜及进行三维堆叠制作3D电感,可以在有限的面积下提高电感量及Q值。其主要特点为高阻硅、厚铜工艺、MIM电容等。采用高阻硅作为衬底在保证了与硅工艺兼容的同时,实现了射频器件的低损耗。同时,随着单晶硅制备工艺的进步,可以通过区熔法或外延工艺获得高阻硅晶圆,电阻率可以高于2500Ω•cm,满足高频微波信号的传输。7GEednc

产品使用双层厚铜,使射频走线的损耗更低,电感Q值也大大提高;MIM电容层由于使用了较薄的介质层所以具有较高的电容密度,大大降低器件的高度,缩小器件面积,使成本更低,更适合大规模量产,集成到各种射频模组之中。7GEednc

芯和半导体IPD滤波器获得了市场的高度认可,2021年月平均出货量达到6000万颗,迅速占领了5G滤波器市场,截至2021年11月,总出货量接近8亿颗。7GEednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观7GEednc

责编:Franklin
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