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蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC®  EJBS™”系列实现量产

2022-06-23 蓉矽半导体 阅读:
​成都蓉矽半导体具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列已经实现量产。

​据成都蓉矽半导体有限公司官方发布消息,具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列已经实现量产,蓉矽半导体通过器件结构与工艺优化,获得了有超低漏电(2μA)且抗浪涌电流能力等同MPS的碳化硅JBS,称之为“EJBS™”  (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)。IxFednc

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性能强大的1200V NovuSiC® EJBS™

第三代宽禁带碳化硅半导体材料、具有高击穿场强、高热传导率和高电子饱和速率等优异的物理性能,在高温、高压、高频、大功率、抗辐射等领域显示出了先天优势。以该材料为基础开发的功率半导体功率器件正在被推广应用在太阳能光伏、风电、储能、通讯、新能源汽车、电网、航空航天等行业,可以大幅降低能量损失,减少终端系统体积,助力达成“双碳”目标。IxFednc

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蓉矽半导体丨可靠性考核IxFednc

其中,碳化硅二极管作为第三代半导体材料在大功率PFC电路中是必不可少的,凭借碳化硅二极管的高频性能,无反向恢复的特性,可以减小开关损耗和整机体积,显著提高转换效率和功率密度。据了解,蓉矽NovuSiC® EJBS™系列产品的正向浪涌超过额定电流12倍,VF@20A 仅有1.37V, 且漏电极低(2μA), 具有多种封装形式可以选择。产品应用在太阳能光伏、充电桩与工业电机逆变器、DC-DC变换器和OBC等领域。IxFednc

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  NovuSiC® EJBS™产品列表(部分)IxFednc

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不仅如此,由蓉矽半导体独立设计开发并拥有自主知识产权的nA级漏电的MCR®(MOS-Controlled Rectifier)系列产品市场表现火热,MCR®是有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能的理想硅基二极管,可应用在工业电源、便携式储能、光伏等领域。 IxFednc

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MCR®丨便携式储能应用IxFednc

自主研发,注重品质 

“我们始终坚持产品自主研发,立足市场需求,专注提升产品性能,第一代1200V 碳化硅二极管让我们感到满意但不满足。”蓉矽CTO高博士表示,“公司成立两年来,我们克服了疫情影响,始终专注于碳化硅二极管和MOS的产品的研发、测试工作,不断突破技术难点,优化器件结构,提升工艺水平,取得了一系列突破性进展,现在看来,一切都是值得的。” IxFednc

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蓉矽CEO戴茂州表示,“我们希望从市场应用场景出发,开发符合客户应用需求的高性能,高可靠性的产品,而不仅是推出没有明确目标与应用场景的通用型产品。让产品的性能数据说话,让产品的稳定质量与稳定供货说话,让蓉矽成为一家值得客户信赖的国产碳化硅器件公司是我们的行为标杆与使命。”未来,公司将继续加大研发投入,继续研发1700V、3300V 车规级碳化硅二极管、MOSFET和碳化硅模块,以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。IxFednc

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关于成都蓉矽半导体有限公司


成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业,致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件,产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二极管与1200V SiC MOSFET已进入量产,并完成超国际考核标准验证(NovuStandard - AEC-Q1O1+),性能达国际先进水平,广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。IxFednc

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