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消费电子
蔚来手机通过工信部无线电核准
蔚来手机通过工信部无线电核准,型号 N2301,申请单位为蔚来移动科技有限公司,新机将在下半年发布。不过尚无该机的配置信息。
综合报道
2023-06-20
产业前沿
消费电子
通信
产业前沿
到底要不要遵循传统的屏蔽规范?
您是否遇到过这样一种设计情况:大家都认为是正确的做法,但实际上是不正确的?与这种所谓的传统智慧对抗是一种什么样的挑战?
BILL SCHWEBER
2023-06-19
EMC/EMI/ESD
安全与可靠性
无线技术
EMC/EMI/ESD
iFixit拆解苹果15英寸M2 MacBook Air:主板比13英寸机型更小
iFixit日前在YouTube上发布了15英寸MacBook Air的拆解视频,视频中表示,15英寸MacBook Air的拆解方式与13英寸机型相同,使用相同的工具就可以打开,但视频内拆解者表示,整个过程是“痛苦的经历”……
iFixit
2023-06-19
拆解
消费电子
传感器/MEMS
拆解
四种不同技术的接近式传感器性能对比
UWB 用于传感解决方案,用于感知物体和人,以短延迟传输数据,并提供有关物体或人的位置的信息。
EDN综合
2023-06-19
传感器/MEMS
消费电子
无线技术
传感器/MEMS
AMD的MI300X能否挑战Nvidia的H100?
AMD的新GPU能否与竞争对手Nvidia(英伟达)的旗舰H100 GPU相抗衡?虽然它看起来在原始性能上击败了H100,但这就足够了吗?
Sally Ward-Foxton
2023-06-19
处理器/DSP
嵌入式系统
安全与可靠性
处理器/DSP
AMD展示“锐龙9 5950X3D”原型,201MB缓存
最近,AMD在奥斯汀总部向极少数媒体展示了这款原型,可以在Windows任务管理中清晰地看到192MB三级缓存(128MB 3D/64MB原生)、6MB二级缓存、768KB一级缓存,总容量198.75MB。同时还有更猛的“锐龙9 5950X3D”……
综合报道
2023-06-19
产业前沿
缓存/存储技术
消费电子
产业前沿
电力电子科学笔记:击穿、稳压器和SiC/Ge二极管
在本教程中,我们将分析SiC/GaN二极管的击穿现象、器件的稳压以及SiC二极管与Ge二极管串联的电路的行为。
Marcello Colozzo
2023-06-16
测试与测量
安全与可靠性
嵌入式系统
测试与测量
电力电子科学笔记:整流器和宽禁带
在本教程中,我们将分析基于宽禁带的半波整流器,研究WBG二极管的温度,并研究温度对工作点的影响(偏移)。
Marcello Colozzo
2023-06-16
新材料
嵌入式系统
安全与可靠性
新材料
为什么越来越多的数据中心依赖GaN晶体管为服务器供电?
有证据表明,GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求,同时让能源使用得到进步。
Emily Newton
2023-06-15
数据中心
嵌入式系统
安全与可靠性
数据中心
AMD披露Zen 4C架构细节:体积缩小35%,核心数增加2倍
据EDN电子技术设计报道,AMD于6月13日推出了EPYC 9004“Bergamo”128 核/256 线程高密度计算服务器处理器,并随之推出了全新的“Zen 4c”CPU 微架构。
综合报道
2023-06-15
产业前沿
处理器/DSP
EDA/IP/IC设计
产业前沿
电力电子科学笔记:纹波和包络检测器
在本教程中,我们将研究带有电容滤波器的整流器的纹波现象,并仿真调幅信号的包络检波器。
Marcello Colozzo
2023-06-15
模拟/混合信号/RF
嵌入式系统
测试与测量
模拟/混合信号/RF
对标英伟达AI芯片,AMD MI300X单GPU可运行800亿参数模型
6月13日,AMD举办的“AMD数据中心与人工智能技术首映会”上,公布了外界期待已久的数据中心APU(加速处理器)Instinct MI300的更多细节和更新。
综合报道
2023-06-14
处理器/DSP
嵌入式系统
数据中心
处理器/DSP
512GB/s的PCIe 7.0规范初稿已完成,预计2027年正式商用
根据外媒的最新消息,PCI-SIG日前敲定了PCIe 7.0 v0.3版本的草案,按照设计,其带宽相较于PCIe 6.0再次翻番,独立显卡常用的x16插槽速度将(双向)达到512GB/s。
综合报道
2023-06-14
接口/总线
安全与可靠性
数据中心
接口/总线
Arm 2023全面计算解决方案将如何为沉浸式游戏体验和智能AI应用提供支持?
移动设备上正出现越来越多包括生成式AI在内的智能技术。
赵明灿
2023-06-14
处理器/DSP
EDA/IP/IC设计
手机设计
处理器/DSP
最大限度地提高SiC MOSFET性能
在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
Sonu Daryanani
2023-06-14
功率器件
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