最近因为厂内发生钽电容烧毁的问题，查找原因的时候，对电容就有了更多的了解。

对很多芯片和分立功率器件来说，散热器是耐热寿命和设计中不可或缺的考虑因素。缺少了这些通常是无源但有时是有源的元器件，芯片/元件可能会因为自己产生的热量无法散发出去，而把自己给“煮熟”，甚至会对其它部分造成影响。

每种硬件设计都需要一定程度的时钟解决方案。根据应用要求，解决方案可能从简单的石英晶体振荡器直到更高集成度的时钟器件。在器件选择方面，没有一劳永逸的策略。一个常见的问题是如何决定何时使用振荡器而不是时钟。每种方法都有利弊。另一个同样具有挑战性的问题是如何为特定应用选择合适的时钟器件。

在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

晶体管的开关速度由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含开启和关断两个过程，开启时间为ton，关断时间为toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度呢？这要从两个方面来考虑。。。

无线充电虽然符合当前技术的发展趋势，但充电效率不高是限制其受市场欢迎的一个最大因素。那么，如何才能提高无线充电效率呢？

本文将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。

日前在美国伊利诺伊州Waukegan一座化学工厂发生爆炸的新闻，让我想起一个有关高压(100kV)电源的意外...

开关电源不断的小型化、轻量化和高效率，在电子设备中使用量越来越大，普及率越来越高。相应的就要求电解电容器小型大容量化，耐纹波电流，高频低阻抗化，高温度长寿命化和更适应高密度组装。

选择电子元件时，你首先考虑的是什么？很有可能是处理器或系统的其它核心元件。定时器件可能是浮现在你脑海中的最后一样东西，尽管时钟信号是系统中所有信号赖以存在的“心跳”。

6月1日起，中国将对原产于美国约600亿美元进口商品实施加征最高25%关税...

电荷平衡技术最初是为能够产生超结（superjunction）MOSFET的高电压器件而开发的，MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了，但计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得最佳性能，已经成为一项相当复杂的事情。

电容决定式是：C=εS/4πkd，定义式是：C=Q/U，还有有一个它的特性隔直通交， 这也是大多数人对电容的理解吧，虽然知道电容是什么，但是具体起什么作用很少人能清楚。直到工作之后，做了几个电子研发的项目，才对电容的作用有了更深一步的了解。

工程师们对半导体技术发展前景忧喜参半；他们认为半导体制程蓝图可再延续十年，但也可能因为缺乏新的光阻剂化学材料而遭遇发展瓶颈。