二极管的参数有哪些？其常规参数包括正向压降、反向击穿电压、连续电流等；交流参数包括开关速度、反向恢复时间、截止频率等；极限参数包括最大耗散功率、工作温度、存贮条件等。

插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT方案。

如果需要更好的理解功率MOSFET，则需要了解更多的一些参数，这些参数对于设计都是十分必要和有用的。

在前不久的一篇博文中，Max Maxfield跟我们分享了将一根电线连接到另一根电线的几种方法。用他的方法连线看样子固定死了，而且连接的过程冗长又乏味。我的方法却很快，还可以拆开重连。

Qspeed硅二极管采用混合PIN技术，可在软开关和低反向恢复电荷(Qrr)之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声，这对于车载音响系统特别重要。

最近因为厂内发生钽电容烧毁的问题，查找原因的时候，对电容就有了更多的了解。

对很多芯片和分立功率器件来说，散热器是耐热寿命和设计中不可或缺的考虑因素。缺少了这些通常是无源但有时是有源的元器件，芯片/元件可能会因为自己产生的热量无法散发出去，而把自己给“煮熟”，甚至会对其它部分造成影响。

每种硬件设计都需要一定程度的时钟解决方案。根据应用要求，解决方案可能从简单的石英晶体振荡器直到更高集成度的时钟器件。在器件选择方面，没有一劳永逸的策略。一个常见的问题是如何决定何时使用振荡器而不是时钟。每种方法都有利弊。另一个同样具有挑战性的问题是如何为特定应用选择合适的时钟器件。

在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

晶体管的开关速度由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含开启和关断两个过程，开启时间为ton，关断时间为toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度呢？这要从两个方面来考虑。。。

无线充电虽然符合当前技术的发展趋势，但充电效率不高是限制其受市场欢迎的一个最大因素。那么，如何才能提高无线充电效率呢？

本文将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。

日前在美国伊利诺伊州Waukegan一座化学工厂发生爆炸的新闻，让我想起一个有关高压(100kV)电源的意外...

开关电源不断的小型化、轻量化和高效率，在电子设备中使用量越来越大，普及率越来越高。相应的就要求电解电容器小型大容量化，耐纹波电流，高频低阻抗化，高温度长寿命化和更适应高密度组装。