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非抗辐射MOSFET能用于辐射环境吗?

2022-06-07 12:09:40 John Dunn 阅读:
最近遇到一家客户有点“不切实际”地执意要在辐射暴露的供电应用中,使用并非专为辐射环境而设计的功率MOSFET……

最近遇到一家客户有点“不切实际”地执意要在辐射暴露的供电应用中,使用并非专为辐射环境而设计的功率MOSFET。这就像是在问培乐多彩泥(Play-Doh)能不能拿来制造车辆的轮胎一样。NgFednc

简言之,关于在辐射环境中使用半导体组件,抗辐射与否绝不应该会是个问题。NgFednc

许多年以前,我曾经就这个问题请教当时的“国际整流器公司”(International Rectifier;IR)——该公司已于2015年成为英飞凌科技(Infineon Technologies)的一部份。NgFednc

“…我们公司的一家新客户疑似在其辐射暴露的产品中,采用了非抗辐射的IR功率FET。请问是否有任何应用指南(application note)讨论这可能对于FET本身及其驱动器造成什么危害?”NgFednc

该公司的技术支持中心给我的回复是:NgFednc

“…我们并不建议在辐射环境中使用非抗辐射的MOSFET。因此,也没有可在辐射环境中使用此类组件的应用指南。”NgFednc

在此与读者分享这封邮件:NgFednc

NgFednc

尽管等了一天的时间才得到答案,但答案十分清楚且明确:NgFednc

NgFednc

(原文发表于ASPENCORE旗下EDN美国版,参考原文:Non-rad-hard power MOSFET question,编译:Susan Hong)NgFednc

责编:Demi
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John Dunn
John Dunn是资深电子顾问,毕业于布鲁克林理工学院(BSEE)和纽约大学(MSEE)。
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