广告

『全球CEO峰会』重磅演讲者:EPC CEO Alex Lidow之“用GaN IC重新定义电源转换”

2020-11-02 18:14:28 赵明灿 阅读:
ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”即将于2020年11月5日在深圳召开。本届大会将邀请到EPC公司首席执行官Alex Lidow,为我们带来“用GaN IC重新定义电源转换”的主题演讲,从四个方面全面讲解GaN技术的来龙去脉。

分立式氮化镓(GaN)晶体管已投入生产十多年了,目前这项技术已成熟了很多。事实证明,GaN器件比硅功率MOSFET器件具有更高的性能和更低的成本。但是,GaN晶体管现在的优势还仅在于器件本身;未来则可以通过将多个GaN器件集成到单个芯片上,构建完整的电源系统,而发挥更大的优势。7VQednc

ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”即将于2020年11月5日在深圳召开,大会的主题是“重思、重构、重升”(点击查看大会介绍并报名)。本届大会将邀请到EPC公司首席执行官Alex Lidow这位重要演讲嘉宾,为我们带来“Redefining Power Conversion with Gallium Nitride Integrated Circuits”(用GaN IC重新定义电源转换)的主题演讲。7VQednc

7VQednc

宜普公司(EPC)联合创始人兼CEO Alex Lidow7VQednc

Alex Lidow是宜普公司(EPC)联合创始人兼CEO,曾任国际整流器(IR)公司CEO。他是HEXFET功率MOSFET的共同发明者,拥有21项功率半导体技术专利。Lidow曾获得2015年北美SEMI奖,以表彰他在新材料功率器件商业化方面做出的贡献。他获得了加州理工的应用物理学士,以及斯坦福大学应用物理博士学位。7VQednc

据了解,今年初,宜普电源转换公司(EPC)推出了首个全新的IC系列产品,为DC/DC转换、电机驱动及D类放大器等高功率密度应用提供了更高性能及更小型化的解决方案。7VQednc

EPC推出的这款80V、12.5A功率级IC EPC2152,专为48V DC/DC转换而设计,用于具有高功率密度的计算应用以及针对电动汽车的电机驱动器。这款GaN IC器件内部集成了一个单芯片驱动器,以及一个基于eGaN FET、采用EPC专有GaN IC技术的半桥功率级。在单芯片上集成了输入逻辑接口、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器的缓冲电路以及配置为半桥器件的输出eGaN FET,从而实现芯片级LGA封装、细小的外形尺寸(3.9mm×2.6mm×0.63mm)。7VQednc

7VQednc

当48V转12V降压转换器在1MHz的开关频率下工作时,EPC2152 ePower功率级IC可实现高于96%的峰值效率,相比采用多个分立器件的解决方案,这个IC在PCB的占板面积少33%。7VQednc

EPC2152是该系列的首个产品。该系列在未来会进一步推出采用芯片级封装(CSP)及多芯片四方扁平模块(QFM)的功率级IC。EPC还将在未来一年内将推出可在高达3至5MHz频率范围工作、每级功率级的电流可高达15A至30A的产品。7VQednc

借助这一产品系列,设计人员就可以更容易地发挥GaN技术的性能优势。集成多个器件在单芯片上,设计师可以更容易设计、布局、组装、节省占板面积及提高效率。7VQednc

Alex Lidow表示,分立式功率晶体管正在进入它的最后发展阶段。硅基氮化镓IC可以实现更高的性能、占板面积更小,并可省去很多的所需工程。“这个全新的功率级IC系列是氮化镓功率转换领域的最新发展里程,从集成多个分立式器件,以至集成更复杂的解决方案都可以,从而实现硅基解决方案所不能实现的电路性能,使得功率系统工程师可以更容易设计出高效的功率系统。”他补充说。7VQednc

本次全球CEO峰会上,Alex Lidow将从以下四个部分系统性地讲解GaN技术的来龙去脉:7VQednc

1. GaN发展的历史背景及其背后的推动力;7VQednc

2. 目前最先进的技术;7VQednc

3. 制造IC的实际方法及其最先进的技术和优势;7VQednc

4. 展望未来数年内GaN技术带来的变化。7VQednc

综上所述,GaN技术的崛起,以及全新的GaN IC,正在重新定义电源转换,并将为业界带来最大的性能优势。7VQednc

添加EPC微信公众号,了解GaN技术最新发展状况:7VQednc

7VQednc

7VQednc

本文为电子技术设计原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
赵明灿
赵明灿是EDN China的产业分析师/技术编辑。他在电子行业拥有10多年的从业经验。在加入ASPENCORE之前,他曾在电源和智能电表等领域担任过4年的工程师。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • SiC衬底的生产到底难在哪里? 全球“双碳”背景下,绿色能源的普及和汽车电动化已经逐渐成为了趋势。特斯拉首次将意法半导体生产的24个SiC MOSFET功率模块引入其Model 3的主逆变器中,推动了碳化硅功率器件市场的增长。
  • 全球碳化硅 (SiC)市场专利格局分析报告 碳化硅在电动汽车 (EV) 应用中的采用正在推动碳化硅 (SiC) 功率器件市场的增长。
  • 比亚迪更新光伏逆变专属IGBT为绿色发电助力  在“碳中和”的背景下,光伏逆变器的核心IGBT功率半导体的市场需求与日俱增,比亚迪半导体发布的两款光伏逆变IGBT有哪些参数和优势呢?
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:PLC电力线载波通信 LD801是一款适用于12MHz以下窄带、高速或宽带中频电力线载波通信(PLC)的高性能线路驱动(功放)芯片,最大输出功率24dBm。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:SLMi33x优势 国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器,5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压,CMTI超过100kV/us
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用,更好的让电路工作在高频状态,减小电路中电感等元件体积重量,由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性,让电路中热沉的体积重量得到改善,便于优化电路的热设计,与此同时,应用了SOD123封装形式的该款器件,为功率二极管小型化提出了解决方案,更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF,小功率GaN适配器,驱动部分自举电路,高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场,有良好的市场反馈。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:屏蔽栅金属氧化场效 捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ,采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件, RDS(O 超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、服务器和数据中心应用能效
  • 2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办 “2021第三代半导体产教融合发展论坛”(第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛分论坛)于2021年12月7日在深圳会展中心隆重举行。
  • 【技术大咖测试笔记系列】之十:在当今高压半导体器件上 宽带隙(WBG)器件由于物理特点,机身二极管压降较高,因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。准确的电源和测量测试对表征这些高压器件非常关键,以便能够及时制订正确的设计决策。
  • Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合 全新单片微波集成电路(MMIC)和分立器件,可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了