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格芯和Microchip宣布Microchip 28nm SuperFlash嵌入式闪存解决方案投产

2023-10-08 格芯 阅读:
广泛部署的非易失性存储器 (NVM)解决方案针对单片机(MCU)、智能卡和物联网芯片进行了优化

格芯(GlobalFoundries)与Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology® SST®今日宣布,采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。u0Jednc

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在实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术方面,格芯确立了新的行业基准。该实施方案具有以下功能和优势:u0Jednc

  • 成本最低的28纳米HKMG ESF3解决方案,仅增加了10个掩模,包括真正的5V IO CMOS器件
  • SST ESF3 位单元尺寸小于 0.05 平方微米,极具竞争力
  • 工作温度额定值为−40°C至125°C
  • 读取访问时间为25 ns 、编程时间为10 us、擦除时间为4 ms
  • 超过100,000次编程/擦除循环的耐用性
  • 不影响使用GF 28SLPe平台合格IP的设计流程(EG 流程)
  • 可立即提供4 Mb至32 Mb 的现成宏程序
  • 可从SST或GF获得定制宏设计支持

随着边缘智能化水平的不断提高,嵌入式闪存的用例也呈爆炸式增长。 在家庭和工业物联网以及智能移动设备的广泛应用中,用于安全代码存储、OTA更新和增强功能的嵌入式内存正呈上升趋势。满足这些需求需要创新的平台。u0Jednc

格芯首席业务部官员Mike Hogan表示:“格芯很荣幸能与SST合作,在我们强大的28SLPe平台上开发、认证并投产这款令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。格芯的客户发现,这款解决方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身,非常适合先进的MCU、复杂的智能卡以及面向消费和工业产品的物联网芯片。” u0Jednc

Microchip授权业务部兼SST副总裁Mark Reiten表示:“过去十年,SST与格芯紧密合作,将SST的行业标准ESF1和ESF3 嵌入式闪存技术集成到格芯的130纳米BCD、55 纳米、40 纳米以及当前的28 纳米制程平台并实现产品化。我们钦佩格芯在提供最广泛的嵌入式NVM解决方案方面的领先地位,期待双方的紧密合作关系在未来十年带来更多突破。”u0Jednc

在今天于慕尼黑举行的格芯GTS峰会期间,SST在IP合作伙伴区展出其嵌入式闪存技术。u0Jednc

对格芯ESF1和ESF3平台解决方案感兴趣的客户,可访问格芯网站 www.gf.com/technology-platforms ,也可通过www.gf.com/about-us/contact-us与公司联系了解更多信息。u0Jednc

对SST的ESF1、ESF3 或SuperFlash®技术 memBrain神经形态存储器解决方案IP产品感兴趣的客户,请联系info@sst.com或SST网站上列出的相应区域联系人。u0Jednc

资源u0Jednc

公关形象图: www.flickr.com/photos/microchiptechnology/53199400497/sizes/l/u0Jednc

责编:Franklin
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