2023 年 2 月 7 日，意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字控制器新增一个支持双充电口的ST-ONEMP芯片。

虽然眼镜没能做成，Mojo Vision在MicroLED显示技术上却实实在在的得到了积累。Mojo Lens搭载的就是一枚直径仅0.5mm的MicroLED，且像素密度做到了14000PPI，号称全球最高密度的MicroLED显示器。而目前Mojo Vision更新网站，称其技术可达到28000PPI。

东国大学的研究人员设计并合成了一种新型混合复合电极材料，可显著提高用于混合动力电动汽车(HEV)的超级电容器的性能。该复合电极由粉刷在氧化石墨烯(CCS@GO)上的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成，具有“前所未有”的电化学性能。

高性能的WiSA E被打造成一种即插即用的模块或IP授权，即刻可将高质量多声道音频嵌入到兼容的电视机SoC平台中

回收、恢复原状和再利用电池及其先进的配方，比起在纸张等更简单的产品上进行同样的事情，当然是更困难得多了，甚至是非常复杂的..

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。

新型nRF7002完美补充Nordic蜂窝物联网和多协议无线解决方案，帮助物联网应用开发人员有效利用Wi-Fi 6的更高吞吐量和无处不在的家居和工业基础设施。Nordic的统一软件开发套件nRF Connect SDK和nRF7002 DK提供有力支持，使得设计工作事半功倍，帮助用户更便捷、更快速地推出新产品。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

器件符合AEC-Q200认证标准，具有D和V两种小型封装版本，ESR低至40 m，可在+125 C高温下工作

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。在本文中，我们将公开一些具有启发性的早期分析，以便验证罗姆的上述声明，并理解其所做的改进。

今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于碳化硅功率器件在电动汽车上的应用。

双方正在为大众汽车集团的电动汽车 (EV) 模块化汽车平台开发完整的主驱逆变器解决方案

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms