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分立器件
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分立器件
意法半导体八路输出高边开关,在紧凑的封装内整合丰富的保护诊断功能
意法半导体的IPS8160HQ和IPS8160HQ-1高边开关具有八路功率输入输出,采用尺寸紧凑的QFN48L封装,还附加很多安保诊断功能。
意法半导体
2023-06-14
功率器件
电源管理
分立器件
功率器件
最大限度地提高SiC MOSFET性能
在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
Sonu Daryanani
2023-06-14
功率器件
安全与可靠性
测试与测量
功率器件
水净化技术如何影响半导体行业
芯片制造商依靠获得高纯水来清洁半导体晶圆。
Jane Marsh
2023-06-13
制造/工艺/封装
安全与可靠性
新能源
制造/工艺/封装
2023 AIoT生态大会:与时偕行,共话汽车智能化的下半场
6月8日,在由国际科技媒体集团Aspencore主办的2023国际AIoT生态发展大会智能网联汽车分论坛上,基本半导体、泰克科技、英伟达、易特驰等,来自芯片、方案及应用领域的厂商齐聚一堂,从碳化硅功率器件到车规级超大算力芯片,从以太网测试技术到汽车软件开发的整车OS,共话智能网联汽车。
谢宇恒
2023-06-13
汽车电子
自动驾驶
嵌入式系统
汽车电子
ADALM2000实验:CMOS逻辑电路、D型锁存器
本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动“ADALM2000实验:使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能”中探讨的CMOS逻辑基本原理,并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言,您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建D型触发器或锁存器。
ADI
2023-06-09
分立器件
创新/创客/DIY
分立器件
电力电子科学笔记:变容二极管
本文中求解了变容二极管的电荷方程,并在结处显示出了不连续性,因此证明了确定性混沌的存在。
Marcello Colozzo
2023-06-02
工程师职业发展
嵌入式系统
安全与可靠性
工程师职业发展
将MOSFET用作恒温加热器
本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器,其他用途则可能包括塑料切割/焊接、电子元器件恒温,甚至软焊接。
Peter Demchenko
2023-06-02
功率器件
分立器件
模拟/混合信号/RF
功率器件
仅使用一个电感即可设计出更紧凑的电源
如今,几乎每个电路都需要使用多个不同的电源电压。因此,我们必须设计合适的电源管理架构,以提供所需的不同电压轨,而通常做法是使用多个根据开关稳压器原理工作的电压转换器。在该设计方法中,每个开关稳压器都需要一个电感。
Frederik Dostal,首席工程师
2023-06-02
电源管理
模拟/混合信号/RF
分立器件
电源管理
新兴技术将如何推动嵌入式物联网连接的未来?
许多技术,如5G、机器学习、边缘计算、更快更高效的处理器以及低功率广域网络(LPWAN)正在推动嵌入式物联网连接的未来。这些技术使这些智能设备能够广泛应用于游戏、国防、医疗保健、制造和供应链等各个行业。
Saumitra Jagdale
2023-05-31
物联网
嵌入式系统
自动驾驶
物联网
Vishay推出厚膜功率电阻器,可选配NTC热敏电阻和PC-TIM简化设计,节省电路板空间并降低成本
器件通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上,具有高脉冲处理能力,功率耗散达120W
Vishay
2023-05-31
分立器件
功率器件
新品
分立器件
电力电子科学笔记:耗尽层与过渡电容
在本教程中,我们将分析PN结中的耗尽层和结的过渡电容。
Marcello Colozzo
2023-05-30
测试与测量
安全与可靠性
嵌入式系统
测试与测量
用铅替代稀土金属,佳能新型QD-OLED成本骤降99%
据外媒消息,近日,佳能成功开发出了一种全新的,不采用稀有金属的QD-OLED(即量子点)面板材料,该材料有望在数年内实现商业化。
综合报道
2023-05-29
新材料
安全与可靠性
放大/调整/转换
新材料
东芝推出小型光继电器,高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间
东芝今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。
东芝
2023-05-25
功率器件
电源管理
测试与测量
功率器件
小型专用电池分析仪设计
本文介绍了一种小型专用电池分析仪设计,借此就可将我们对便携式电子设备中所用小型电池的“一厢情愿”从其“实际性能”中区分开来。
Steve Hageman
2023-05-24
电池技术
电源管理
模拟/混合信号/RF
电池技术
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高40%
意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
意法半导体
2023-05-24
功率器件
分立器件
电源管理
功率器件
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