英飞凌宣布推出EiceDRIVER F3 （1ED332x）增强型系列栅极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离栅极驱动器的产品阵容。

开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数，包括热回路大小、开关速度（压摆率）和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点，在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线，发射快速高效的高功率开关事件产生的噪声。这是大多数开关稳压器的主要辐射源。

问题：如何在电路仿真中考虑多层陶瓷电容器(MLCC)的直流偏置影响？答案：使用LTspice的非线性电容功能和合理的模型。

尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势，但它也带来了一些设计挑战，我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。

器件降低成本，节省电路板空间，1 cm距离处电场可减小-20 dB

移动设备工程师可以使用TVS二极管保护USB线路，使用数字温度指示器保护USB Type-C连接器，从而保护他们的设计。

SGT75T60SDM1P7产品是士兰微电子采用第三代场截止(Field Stop III)工艺制作的绝缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和开关损耗、快速关断能力、宽反向安全工作区范围等特点。该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用，更好的让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD123封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场，有良好的市场反馈。

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。

维安面向全球市场，在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入，经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累，已开发出国内非常领先的工艺技术，可以将小封装，高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白，打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品，SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2，使用TO-252/DPAK贴片封装，内阻低至3.5Ω，相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制，中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。

汽车级器件阻值高达7.5M，温度系数低至±25ppm/K，公差仅为±0.1%

器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准，不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差