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分立器件
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分立器件
神经网络准确率超96%,忆阻器新设计或将改变AI游戏规则
新加坡科技设计大学的研究团队开发了一种由锗、碲和锑组成的独特材料制作的忆阻器,他们使用这种新的忆阻器设计进行了神经网络训练,并取得了良好的效果···
综合报道
2024-02-27
分立器件
测试与测量
制造/工艺/封装
分立器件
选择电流检测电阻没有那么简单,这两方面的权衡要谨慎
电阻值越低越好。在实践中,许多设计人员会将电阻器的最大压降设定为最高电流时的100mV,以此作为折衷点。但无论选择什么值和相关的压降,该电阻器的“最佳”值始终会受到争论和非议···
BILL SCHWEBER
2024-02-26
技术实例
安全与可靠性
分立器件
技术实例
一个简单的逻辑探头设计,具有宽电压范围
逻辑探头要具有宽电压范围,可以选用微控制器或74/54系列逻辑芯片,包括HC/HCT芯片···
PETER DEMCHENKO
2024-02-23
技术实例
安全与可靠性
测试与测量
技术实例
Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET第五代功率MOSFET
器件采用中央栅极结构3.3×3.3mm PowerPAK 1212F封装,提高系统功率密度,改进热性能
Vishay
2024-02-20
功率器件
分立器件
电源管理
功率器件
索尼HDD新技术,用激光器实现30TB的机械硬盘
根据外媒消息,索尼成功研发出了用于大容量机械硬盘的半导体激光器技术,可使硬盘的存储容量实现翻倍,将3.5英寸硬盘的存储容量提高至30TB,是此前市场上同类产品的2倍···
综合报道
2024-02-19
缓存/存储技术
安全与可靠性
分立器件
缓存/存储技术
Vishay推出超小型高集成度的可见光敏感度增强型高速PIN光电二极管
器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活,适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用
Vishay
2024-02-01
光电及显示
分立器件
模拟/混合信号/RF
光电及显示
Pickering推出业界首款具有5kV隔离能力的微型SIP舌簧继电器
这是迄今为止市场上最小的SIP高压舌簧继电器,具有5kV隔离能力,PCB面积仅为之前同类产品的1/6。
Pickering
2024-02-01
分立器件
模拟/混合信号/RF
新品
分立器件
TEC效率与散热器热阻抗之间的关系,你了解多少?
半导体致冷器(TEC)在实际应用中的效率与哪些因素有关?散热器的热阻抗对于TEC效率的影响又有多大?
STEPHEN WOODWARD
2024-01-25
技术实例
嵌入式系统
分立器件
技术实例
霍尔效应开关和锁存器,汽车领域有哪些应用?
霍尔效应传感器IC还广泛用于越野车、重型设备、人机界面(HMI)和侧翻(倾斜角度)传感器、支架和两轮车辆的驾驶员控制器。它们有助于对磁性开关和锁存器进行最快的诊断,并提供逻辑兼容的输出···
MAJEED AHMAD
2024-01-19
分立器件
PCB设计
EDA/IP/IC设计
分立器件
该怎么让门控555非稳态多谐振荡器顺利得到使用?
通过使用555的RESET引脚能够根据需要选择性地打开和关闭振荡,但当RESET返回逻辑1并恢复振荡时,会出现一个疑难杂症···
STEPHEN WOODWARD
2024-01-11
技术实例
放大/调整/转换
分立器件
技术实例
Fe-OLET,开关、发光和存储功能三合一的晶体管你见过吗?
最近,根据北京大学官网的消息,该校的研究团队成功研制了一种新型非易失性存储器铁电有机发光晶体管(Fe-OLET)器件,它将开关能力、发光能力和非易失性存储器功能集成到了单个器件中,相比传统的有机发光晶体管,基于存储型有机发光晶体管的显示技术具有更高集成度和更高像素开口率的优势···
综合报道
2024-01-10
新材料
测试与测量
缓存/存储技术
新材料
苏州大学研发新型水伏发电器件,一滴水能产生1.04V电压
前不久,苏州大学的研究团队发明了一种基于全新概念的水伏发电器件,这是一种铁电增强型水蒸发诱导水伏发电器件,只需一滴水就能产生1.04V的电压···
综合报道
2024-01-08
电源管理
安全与可靠性
测试与测量
电源管理
纳芯微推出低功耗霍尔开关NSM107x系列
2024年1月4日,上海 —— 纳芯微推出全新低功耗霍尔开关NSM107x系列,为数字位置检测提供高精度的解决方案,可被广泛应用于工业与消费电子领域。纳芯微全新霍尔开关NSM
纳芯微
2024-01-04
传感器/MEMS
分立器件
新品
传感器/MEMS
索斯科推出迷你嵌入式铰链固定轻型门板与盖子
索斯科在原有的摩擦铰链系列的基础上推出了在有限空间精准定位控制的低平式产品。
索斯科
2024-01-04
分立器件
新品
分立器件
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件,对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说,压降不是问题,但在高电流应用中,各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是,MOSFET可以取代标准硅二极管,并提供意想不到的应用优势。
Anthony Huynh,前技术人员
2023-12-18
模拟/混合信号/RF
电源管理
分立器件
模拟/混合信号/RF
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