在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。

东芝宣布推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本

拜登总统在致辞中指出政府项目旨在促进美国经济增长，包括投资 Wolfspeed 这类半导体制造商

派克汉尼汾宣布推出VA系列下一代预补偿负载感应（LS）阀，该阀面向行走机械严苛的应用工况而设计。

全新设计减少光学损耗，优化辐射特性，实现出色的电光转换效率；采用新型开放式外壳设计，集成反射器，无需盖玻片和透镜；采用业界标准的3535表面贴装，尺寸紧凑，易于系统设计集成；275nm典型波长适用于工业与消费应用中的表面、空气和水处理。

解决通常与近距离射频设计有关的身体阻挡问题的专家AntennaWare有限公司获得了一项欧洲专利，，可与植入式设备实现可靠、持续的通信，该专利预计将对实现人体内的可植入设备产生重要影响。

SPL S1L90H_3激光器的发射宽度较窄，可提升远距离激光雷达应用性能，简化光学集成；SPL S1L90H_3具有较高的峰值功率和平均功率输出评级，有别于市面上其他小型表面贴装激光器产品；针对无人机、机器人以及建筑和工厂自动化设备等短脉冲激光雷达应用进行了优化。

全新1200V器件提供领先市场的导通和开关性能

Qorvo今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装（TOLL）封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET拥有全球最低的5.4mΩ的导通阻抗。

新推出的微型超级电容器可在105℃温度下提供更长使用寿命、更高功率密度、更快速充电和更高可靠性，适合于汽车电子中的储能等应用。

Power Electronics News分析了一个以E类双频信号驱动运行的DC/DC升压转换器。

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。

我一直觉得面试初级模拟工程师应聘人员是项挑战。我们很难知道在应试者刚入行时问他什么比较明智。

AC/DC转换器是扩展和改进电动汽车功能的基础元件。