Anchor的后屋是你能找到大部分货物的地方。所有的IC主动和被动元器件都在后面。这是你从柜台前面可以看到的图片。注意右边的卡片目录。工作人员就是这样找到后面的东西的。

氧化铝层可以承受正向的直流电压，如果其承受反向的直流电压，其很容易在数秒内失效。这个现象被称为‘ Valve Effect ’，这就是为什么铝电解电容拥有极性的原因，如果电解电容的两个电极都有氧化层，则形成无极性电容。

二极管产生的正向压降跟整流特性一样有用，它们随温度变化很大。这会增加损耗，并可能导致电源容许误差。虽然损耗可能无法消除，但在某些应用中却可以使用二极管来减少容许误差。本文将用三个示例说明如何达成这一目标。

本文用一个具体的例子比较在电压轨上完成电流检测的几种不同方法。第一种方法是使用带分立电阻器的单运放差分放大器；第二种方法是用V+而不是地作为参考轨；第三种方法在IC解决方案中很常见，在这种方案中，晶体管和运算放大器一起工作，以接地参考电流测量。

作者听过一句至理名言，“电器坏了，总是电容器出问题！”。很多测试设备故障都是由于电解电容器干燥或者钽电容器失效造成的。碰巧作者的空调坏了，果然“又是电容器的错！”。自己动手换电容，省了一大笔钱，这感觉实在太美妙！

作者的一位同事接到了一项任务，要向客户推荐一个简单的脉宽调制电路。最直接的方法可能是用一个具有方波输出的振荡器和一个积分器为比较器提供三角波形。但是作者另辟蹊径，将输入作为输出，节省了一个运算放大器。

Hot 100是EDN一项承传已久的历史活动，每年美国的编辑们都会选出当年最热门的100款产品分享给大家。又是一年到了！2017年最热的产品有哪些？EDN编辑根据自己的判断和读者的兴趣选出了100个热门产品。

当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Q_rr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。

虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。

笔者在寻求理想晶体管的过程中，发现早已存在的一系列电路，如伪理想双极结式晶体管 (pseudo-ideal BJT) 和电流反馈放大器。前者可实现更简单的放大器，后者在某些高速应用中可以取代传统的运算放大器。

老旧的设备不能再继续工作了该怎么办？丢了它？还是想办法修复它？本文作者将告诉你他是如何从发现造成HP 204D音频振荡器无法正常运作的问题，并进一步修复它的过程…

每次串行数据速率提高，其都会暴露出掩盖在低速下的问题。许多这些问题是因为PCB走线、过孔和连接器中发生损耗引起的信号完整性下降而造成的。虽然信号完整性问题的解决方案有很多，但每种方案都有其自身的缺点。解决这些问题的一种应对措施是使用线缆配件取代PCB走线。

本设计实例讨论了生成非标准阻值的一些电路，包括πΩ电阻和1/(2π)倍数的电阻。未来还会有eΩ电阻、普朗克常数电阻和阿伏加德罗常数电阻。

在储能产品百花齐放的今天，具有超大功率、超大电流、超宽工作范围、超高安全性、超长寿命等储能特点的超级电容（法拉级电容）单独使用，以及与其他储能产品的复合使用成为主流。对于使用者而言，选择适合的超级电容至关重要。

如果不需要快速切换功能，就不需要设置快速且功能强大的FET驱动器。在实际应用中，不可将电阻驱动器当作功率FET。