XP018平台新增极具竞争力的第二代高压基础器件···

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺，符合MIL-STD-981 S级标准···

2024 年 5月 7 日，意法半导体的LDH40和LDQ40工业级和车规稳压器，在最低3.3V的输入电压下即可启动，工作电压最高可达40V，具有低静态电流。

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效···

本文展示了通用模拟多路复用器/解复用器各种应用的可能方案……

最近，佛罗里达大学的研究团队开发了一种新型3D处理器，将无线通信推向了一个全新的维度···

通孔器件采用铁氧体磁芯技术，工作温度达 +155 C，直流内阻低，有助于减少功耗，提高效率···

QSPICE与电子元件在线采购系统的集成是电子仿真器领域的一次革新。

SMD器件发光强度达2300 mcd， 波长分别为525 nm和465 nm，适用于心率监测和烟雾探测……

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。

最近，洛桑联邦理工学院的纳米生物学实验室获得了一项突破性的进展，其研究团队开发了一种新型纳米流体忆阻器，这种器件不仅能够存储信息，还能在没有电流的情况下保持其状态，类似于大脑的突触，非常高效节能……

不久前，我发表了一个基于自热达林顿晶体管对的热风速传感器的简单设计实例，资深设计实例贡献者Jordan Dimitrov为该实例的问题提供了一个优雅的计算数值解决方案，使最终结果几乎完美线性，但模数转换后在数字域中执行线性化的结果是所需ADC分辨率大幅提高，例如从11位增加到15位···

日本国立材料研究所的研究团队(NIMS)成功开发了世界上第一个金刚石 n型MOSFET，为创建专为极端条件设计的CMOS集成电路和基于金刚石的电力电子器件的进一步发展开辟了新的可能性……

器件内置旋钮开关，IP67密封，介电强度高达5000 VAC，额定功率1 W……

本文将就三个电压源串联而成的“三元组”进行讨论，探究多个电压源之间串联的相互关系……