与市场上的标准光电二极管相比，新推出的TOPLED® D5140 SFH 2202光电二极管具有更高的灵敏度，线性度也更出色；在复杂的环境光条件下，采用TOPLED® D5140 SFH 2202的可穿戴设备能够更准确地测量心率和血氧饱和度（SpO2）；TOPLED® D5140 SFH 2202为面向高端市场的可穿戴设备制造商产品提供卓越的生命体征监测性能，更具市场竞争力。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

Diodes宣布推出新款双向瞬态电压抑制二极管(TVS)，从而满足市场稳健保护高速数据端口的需求。

电源噪声是一个经常出现的结果，设计者和其他参与电子生产的人必须预测并计划减少它们。以下是实现该目标的一些可行的方法。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

随着人工智能和5G的进步，智能边缘时代的转型也在加速，互联和计算的优势正快速衍生到工业和高端汽车体验等应用中，人们在这些具有挑战的环境中对微控制器(MCU)提出了新的要求。在3月30日举办的MCU 技术与应用论坛上，多位行业专家将齐聚一堂，与观众共同探讨如何打造更智能、更安全、更互联的MCU方案，加速拥抱智能边缘时代。

在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。

东芝宣布推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本

拜登总统在致辞中指出政府项目旨在促进美国经济增长，包括投资 Wolfspeed 这类半导体制造商

派克汉尼汾宣布推出VA系列下一代预补偿负载感应（LS）阀，该阀面向行走机械严苛的应用工况而设计。

全新设计减少光学损耗，优化辐射特性，实现出色的电光转换效率；采用新型开放式外壳设计，集成反射器，无需盖玻片和透镜；采用业界标准的3535表面贴装，尺寸紧凑，易于系统设计集成；275nm典型波长适用于工业与消费应用中的表面、空气和水处理。

解决通常与近距离射频设计有关的身体阻挡问题的专家AntennaWare有限公司获得了一项欧洲专利，，可与植入式设备实现可靠、持续的通信，该专利预计将对实现人体内的可植入设备产生重要影响。

SPL S1L90H_3激光器的发射宽度较窄，可提升远距离激光雷达应用性能，简化光学集成；SPL S1L90H_3具有较高的峰值功率和平均功率输出评级，有别于市面上其他小型表面贴装激光器产品；针对无人机、机器人以及建筑和工厂自动化设备等短脉冲激光雷达应用进行了优化。

全新1200V器件提供领先市场的导通和开关性能