从全球半导体业的趋势，尽管尺寸缩小的路还能往下走，但是越来越困难，只有那些对于计算功能要求高的芯片才会采用finFET技术，但是不可否认现阶段它居主流地位。而定律的另一支，采用3D等封装技术的堆叠芯片，及能满足低功耗为主的芯片，正在醖酿喷发。

最新的“倾斜离子注入”（TII）制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸……

使用自我复原的全包围栅极（GAA）晶体管打造的测试芯片，包含DRAM和逻辑电路。

近年媒体的大陆报道，让我们知道中国集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业，中国也几乎都依赖进口，那就是IGBT等功率元器件。我认为这是真的重点发展，且必须重视的产业，因为在高铁和现在大力发展的新能源汽车领域，IGBT是必不可少的，如果都掌握在别人手里，那就会对发展造成影响。

北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究，发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法，通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。

在旧金山举行的2016年国际电子器件会议上，比利时研究组织IMEC首次报导了垂直堆叠的围栅(GAA)硅纳米线MOSFET的CMOS集成。

在先前，台积电计划推出一款由16nm改进而来的12nm制程工艺。而在最近台积电高层表示确实有研究过类似的东西（12nm），但对于这一命名尚未明确。

缩小IGBT特征尺寸实现节能，你听说过吗？

专注于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片正式出样，而更为先进的28nm工艺的ReRAM芯片也将在今年上半年问世。这意味着在存储领域即将迎来一场变革。

继系统设计篇后，EDN继续推出2016最受欢迎技术文章排行榜第二篇，PCB设计与制造封装系列。

英特尔高级院士Mark Bohr表示，英特尔10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的英特尔14nm，还会优于其他公司的10nm，也就是集成度比他们更高，栅极间距将从14nm工艺的70nm缩小到54nm……

从实践上看，三星在招募梁孟松后，在45、32、28nm制造工艺上缩小了与台积电的距离，在14nm制造工艺上三星堪称大跃进，更是凭此斩获了苹果和高通的订单，台积电董事长张忠谋也公开承认16nm技术被三星超前，以致台积电股价一度大跌。