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缓存/存储技术
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缓存/存储技术
芯耀辉软硬结合的智能DDR PHY训练技术
DDR接口速率越来越高,每一代产品都在挑战工艺的极限,对DDR PHY的训练要求也越来越严格。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度,谈谈DDR PHY训练所面临的挑战,介绍芯耀辉DDR PHY训练的主要过程和优势,解释了芯耀辉如何解决DDR PHY训练中的问题。
2021-07-05
缓存/存储技术
EDA/IP/IC设计
人工智能
缓存/存储技术
西部数据网盘被爆两个漏洞:NAS数据可被瞬间清空,至今无有效解决方法
据外媒报道,上周对 Western Digital My Book Live 存储设备的大规模擦除不仅涉及利用一个漏洞,还涉及第二个关键安全漏洞,该漏洞允许黑客在没有密码的情况下远程执行恢复出厂设置。
2021-06-30
缓存/存储技术
安全与可靠性
产业前沿
缓存/存储技术
打卡“未来工作”,VDI存储当然是全闪存
今天我们不谈前端,而是着重谈一谈VDI背后的那双“推手”——存储,即如何用全闪存技术优化VDI的用户体验。VDI之所以能够快速兴起,主要还是因为它能为个人提供定制化、安全的工作环境,无论是数据存取,还是操作管理,既安全又省心。尤其是在需要大规模协作的业务场景中,比如开发测试或协同设计,VDI在安全性和效率上并重,成为办公的一件利器……
Pure Storage
2021-06-28
产业前沿
缓存/存储技术
产业前沿
LPDDR5 让更多的手机拥有旗舰功能
要想拍出完美的照片、打网络游戏或者直播 4K 视频,都需要向智能手机处理器提供大量的图像、视频、游戏和 5G 数据。所有这些数据都会流经内存,彰显了美光的高性能 LPDDR5 对于充分发挥智能手机潜力的重要性。
美光产品营销高级经理 Carla Christensen
2021-06-28
缓存/存储技术
缓存/存储技术
Rambus发布CXL内存互连计划,引领数据中心架构进入新时代
新闻摘要:· 启动研发工作,通过内存扩展和池化解决方案推动数据中心架构转型,实现分解型和可组合的服务器架构;· 结合高速接口、嵌入式安全和服务器内存缓冲区方面的独特专长,研发突破性的下一代数据中心解决方案;· 利用收购PLDA和AnalogX提供的关键构件,推进CXL路线图和市场领先地位。
2021-06-23
缓存/存储技术
新品
缓存/存储技术
三星规模量产uMCP智能手机内存解决方案,内含LPDDR5 DRAM与最新的ufs3.1 NAND
三星采用独特的封装工艺,将手机的运存和储存结合在一起,即uMCP。
2021-06-16
缓存/存储技术
缓存/存储技术
磁性RAM(MRAM)能否使欧盟回到存储器竞争的队伍?
二十多年来,MRAM的倡导者一直相信,如果有一种能够在存储器的各层上使用的先进技术,就可以建立一个更好的(存储)世界。MR AM成为主流已是不争的事实,欧盟需要确保其核心技术处于最前沿并不断发展,以期成为未来的“独角兽”。
Jean-Pierre Nozières
2021-06-08
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
美光进一步推进业界首款 176 层 NAND 与 1α DRAM 技术创新
量产推出更多内存和存储产品,赋能数据中心、智能汽车及消费类设备创新
2021-06-02
缓存/存储技术
缓存/存储技术
美国研究出异质结构新存储器,比传统闪存快5000倍,中国研究小组也有新成果
这款新的存储器比目前已商用的闪存快快了大约5,000倍,并且速度与大多数计算机中的动态RAM差不多,而且可以存储多个数据位。研究人员本月在《自然纳米技术》杂志上在线详细介绍了他们的发现。
综合报道
2021-05-26
产业前沿
缓存/存储技术
消费电子
产业前沿
Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品
支持需要TB级带宽的加速器,用于人工智能/机器学习(AI / ML)训练应用 完全集成的HBM2E内存接口子系统,由经过验证的PHY和控制器组成,在先进的Samsung 14/11nm FinFET工艺上经过硅验证 拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾,为客户提供中介层和封装参考设计支持,以加快产品上市时间
综合报道
2021-05-25
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
内存只是安全难题的一部分?
安全保护功能已牢牢地嵌入内存和网络设备中,分布在整个计算系统和网络环境里。内存安全功能必须正确配置,并且还要与同样包含软件的系统协调一致,才能完全发挥其优势。
Gary Hilson
2021-05-24
安全与可靠性
物联网
缓存/存储技术
安全与可靠性
新加坡Unisantis Electronics公司推出动态闪存(DFM)
新加坡Unisantis Electronics在其官网中宣布公司推出了动态闪存(Dynamic Flash Memory:DFM)。DFM由Unisantis根据SGT Technology的成熟技术原理开发,并基于该工作和公司的创新,特别是在存储半导体领域。
综合报道
2021-05-20
缓存/存储技术
缓存/存储技术
三星新一代DDR5 DRAM重大设计改进,将PMIC也集成到内存模组上
这款新一代 DDR5 DRAM 的一项重大设计改进,是将 PMIC 也集成到了内存模组上(前几代仍将 PMIC 放在主板端)。
2021-05-19
缓存/存储技术
制造/工艺/封装
产业前沿
缓存/存储技术
新一代内存DDR5带来了哪些改变?
DDR5与DDR4差别很大,实际上更像LPDDR4,DDR5带来9个变化。
泰克科技
2021-05-19
测试与测量
缓存/存储技术
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