二十多年来，MRAM的倡导者一直相信，如果有一种能够在存储器的各层上使用的先进技术，就可以建立一个更好的（存储）世界。MR AM成为主流已是不争的事实，欧盟需要确保其核心技术处于最前沿并不断发展，以期成为未来的“独角兽”。

量产推出更多内存和存储产品，赋能数据中心、智能汽车及消费类设备创新

这款新的存储器比目前已商用的闪存快快了大约5,000倍，并且速度与大多数计算机中的动态RAM差不多，而且可以存储多个数据位。研究人员本月在《自然纳米技术》杂志上在线详细介绍了他们的发现。

​​​​​​​支持需要TB级带宽的加速器，用于人工智能/机器学习（AI / ML）训练应用 完全集成的HBM2E内存接口子系统，由经过验证的PHY和控制器组成，在先进的Samsung 14/11nm FinFET工艺上经过硅验证 拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾，为客户提供中介层和封装参考设计支持，以加快产品上市时间

安全保护功能已牢牢地嵌入内存和网络设备中，分布在整个计算系统和网络环境里。内存安全功能必须正确配置，并且还要与同样包含软件的系统协调一致，才能完全发挥其优势。

新加坡Unisantis Electronics在其官网中宣布公司推出了动态闪存（Dynamic Flash Memory：DFM）。DFM由Unisantis根据SGT Technology的成熟技术原理开发，并基于该工作和公司的创新，特别是在存储半导体领域。

这款新一代 DDR5 DRAM 的一项重大设计改进，是将 PMIC 也集成到了内存模组上（前几代仍将 PMIC 放在主板端）。

DDR5与DDR4差别很大，实际上更像LPDDR4，DDR5带来9个变化。

全球各产业中的佼佼者，为了应对今日的挑战，无论在数据存储系统或关键创新系统的建设上，都具备能够快速吞吐数据的能力。然而对于大多数的企业来说，HDD传统硬盘的价格仍然相对低廉且有吸引力，使得IT部门在实际应用中，不得不将工作负载转往“价格导向”，而非“性能导向”。

物联网和嵌入式应用需要越来越多的RAM，这些RAM要求更高的带宽、更小的外形尺寸和更低的功耗。这给开发人员提出了一个问题：什么样的内存模块才适合这类应用？

在近日结束的计算机系统领域顶级会议ACM ASPLOS 2021上，湖南大学陈浩教授团队博士生狄棒的论文荣获Distinguished Artifact Award奖项。这是湖南大学师生首次在该学术会议上发文。

朗科已经完成自产DDR5内存模组阶段，采用美光的1znm工艺DDR5 DRAM内存颗粒。 作为本土存储品牌，其实朗科早在2018年就进入了内存行业，日前朗科科技的DDR5内存已经进入研发阶段，正在与华硕、微星等主板厂商合作验证兼容性测试，已成功开机，并运行至操作系统。

在2021年慕尼黑上海电子展上，兆易创新（GigaDevice）存储器事业部市场经理薛霆向记者讲述了今年热门的存储器应用领域。

日前，关于手机内存标称容量和实际容量不一致的话题再次引起了广泛关注。那么这些数码产品的标称存储容量和实际存储容量为何会有差别呢？主要原因有三个……

下一代服务器内存展望