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SK海力士DRAM工艺翻车?材料存在质量问题

2023-02-20 14:15:12 综合报道 阅读:
据EDN电子技术设计了解,SK海力士本月在DRAM晶片生产工艺中出现了一些质量问题,主要原因是受SK trichem提供的高k值锆基薄膜材料质量问题影响。

据EDN电子技术设计了解,日前有韩媒报道称,SK海力士本月在DRAM晶片生产工艺中出现了一些质量问题。tIDednc

据悉,此次DRAM晶片生产工艺问题的主要原因是受SK trichem提供的高k值锆基薄膜材料质量问题影响。tIDednc

因SK Trichem供应的材料中含有杂质,数台SK海力士相关生产设备暂时停产。SK海力士表示:“立即采取了清洁作业等措施,没有造成生产损失。”但据悉,SK正在研究按照合同条款要求,就设备停产、更换零部件等部分的赔偿。 tIDednc

据悉,SK海力士在问题解决之前中断了SK Trichem的材料采购。对此,SK Trichem方面解释说: “供应给SK海力士的材料纯度存在问题,这导致过程中某些设备的压力增加,导致(设备)停止运行。”他说。出现问题的部分生产线的材料采购已经减少,计划从本月底开始提供质量更高的产品。”tIDednc

据小编了解,SK Trichem供应的高k值锆基材料对于DRAM的生产至关重要。tIDednc

由于影响DRAM工艺缩减的主要问题是电容,为了可靠地存储数据,电容需要大于一定的阈值。要继续制造出占用面积更小的电容,可以把电容做得更高,薄膜更薄,或者增加薄膜的K值。但是问题在于,虽然从机械稳定性的角度还可以可靠地做出更高更薄的电容,但是随着薄膜厚度的降低,漏电会增加,而且随着薄膜K值的增加,带隙减小也会导致漏电问题。当前的标准是使用低漏电的铝基氧化物薄膜和用于高k值的锆基薄膜组成的复合膜。DRAM用高钾预处理器在DRAM核心元素电容器上以原子层为单位薄薄地沉积。DRAM通过是否在电容器中存储电荷来辨别0和1。线宽越窄,为了解决电容之间的干扰问题,需要沉积遗传率越高的高钾物质。因此,高K物质是对DRAM生产和运行产生重要影响的核心材料tIDednc

据EDN小编了解,SK Trichem 是SK集团的材料关联公司,由SK Materials与日本三化学研究所 (TCLC) 合资成立。2021年,SK Materials的控股事业部被吸收并入SK,成为SK的子公司。SK Corp.的股份比例为65%,TCLC的股份比例为35%。tIDednc

SK Trichem 在 2020 年和 2021 年连续两年实现年销售额 1500 亿韩元,但随着对 SK 海力士的供应增加,预计去年销售额将超过 2000 亿韩元。tIDednc

责编:Demi
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