新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性

碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司官方消息称，继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资，本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

SCALE-2技术可优化外形尺寸，提高耐压在3300V以内的功率逆变器和变换器的效率、性能和可靠性

新的门驱动器节省了六分之一的模块；大大降低了系统的复杂性 

SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。

英飞凌和松下签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。

英飞凌为其采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的EconoDUAL 3产品组合推出新的额定电流。

开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件

模拟晶圆代工龙头企业X-FAB和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。

本系列文章将谈论直流充电器的开发过程，在每一部分探讨不同的主题。将聚焦所面临的关键挑战、权衡和妥协，并展示如何从头设计、构建和验证这样的系统。在第一部分中，将描述快速电动车充电器的结构，并定义其关键电气规格。

在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiC SBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。

如何选择薄膜沉积设备、使之匹配不断发展的宽禁带半导体制造工艺需求，是横亘在众多第三代半导体厂商面前的一道难题。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

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