SiC和GaN正在实现更高效率、更小尺寸的电源转换解决方案。

新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件

大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC电源模块方案。

提升电动汽车夏冬续航里程，降低整车拥有成本

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度电源方案。

对飞机电源架构的重大修改可确保最佳性能。

增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇

安森美EliteSiC裸芯片和图像传感器将助力理想汽车向800V纯电和更高级别自动驾驶迈进

大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。

本文主要介绍地开离散量的基本原理、特点、应用及优势，并针对其在实际应用中存在的问题提出相应的解决方案。通过对地开离散量的研究，可以更好地理解其对于机载机电系统功率控制的重要作用，为相关领域的发展提供理论支持和实践参考。

与传统的单面冷却(SSC)模块相比，双面冷却(DSC)SiC模块在牵引逆变器性能方面有所改进。

Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性

又到了一年一度的盘点时刻，本文盘点汽车领域。

本文将讨论一些技术、工艺和工具，以帮助设计人员适应复杂性、微型化和设计周期缩短的新模式···

意法半导体与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。