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功率器件
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功率器件
【电驱变革深探】: 从测试角度看800V超充技术下的电驱变革
市场调研数据显示,超过80%的用户对电动汽车的充电速度和续航里程表示不满,虽然新能源汽车市场在近几年飞速变化,但距离满足消费者心理预期的更高使用需求,尚有较大提升空间。预测数据显示,到2025年,800V SiC的市场占比将达到15%左右;不过在电动汽车全球发展提速的大趋势下,这一预测节点也许会提前到来。
泰克科技
2023-03-01
汽车电子
嵌入式系统
安全与可靠性
汽车电子
等离子体抛光干式蚀刻为下一代SiC带来质量优势
尽管化学机械抛光(CMP)有一段时期一直是最常用的基板抛光技术,但随着一种新引进的技术——等离子体抛光干式蚀刻(PPDE)被提出,可望克服CMP带来的一些限制。
Maurizio Di Paolo Emilio,EE Times欧洲特派记者
2023-02-28
制造/工艺/封装
功率器件
分立器件
制造/工艺/封装
东芝新款车载直流无刷电机栅极驱动IC有助于提升车辆电气元件的安全性
2023年2月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”,该IC适用于电动转向助力系统(EPS)、电动制动系统和线控换档系统等应用。产品于今日开始批量出货。
东芝
2023-02-28
EDA/IP/IC设计
汽车电子
FPGA
EDA/IP/IC设计
【汽车创新三大驱动力】系列之一: 解决电动化和电池测试挑战的方法探讨
围绕电动汽车和电池的最大问题之一,是如何提高单次充电的容量和续航里程。而围绕续航能力有一些关键绩效指标,同样围绕电池的效率、加速和快速充电能力也有一些关键绩效指标。我们今天看到的趋势是锂离子电池,但在未来,我们将看到向固态的转变。这主要是由固态电池带来的重量减轻和密度增加所推动的,而重量是影响车辆续航能力的一个关键因素。
泰克科技
2023-02-27
电源管理
测试与测量
安全与可靠性
电源管理
筑波科技提供美商Teradyne ETS设备,打造客制化先进功率半导体测试方案
近年新能源碳中和相关概念法规逐步落地,因应全球消费性产品及电动汽车(EV)对高功率、高流高压测试需求增长,第三代半导体GaN(氮化镓)与SiC(碳化硅)材料为新主流。在供应链中每个组件的质量把关都是关键,制程测试准确度足以影响整体PMIC,筑波科技与泰瑞达携手合作推广Eagle Test Systems (ETS),基于20年无线通信及半导体测试经验,满足客户客制化需求。
筑波科技
2023-02-16
测试与测量
功率器件
电源管理
测试与测量
面向低功耗工业4.0应用的可编程安全功能
本文概述了FPGA如何推进纵深防御方法的发展以开发安全应用程序,这是在第四次工业革命的推动下,满足IoT和边缘计算迅速增长的需求的必经之路。本文介绍了安全功能在硬件、设计和数据中的作用,以及如何在安全性的三个要素(机密性、完整性和真实性)基础上构建应用程序。
Apurva Peri,Microchip资深FPGA产品营销工程师
2023-02-14
FPGA
嵌入式系统
安全与可靠性
FPGA
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今,出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战,特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能,必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。
意法半导体意大利Catania公司,Giusy Gambino
2023-02-09
功率器件
电源管理
汽车电子
功率器件
功率器件动态参数测试系统选型避坑指南
动态特性是功率器件的重要特性,在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环,主要采用双脉冲测试进行。
泰克科技
2023-02-08
测试与测量
功率器件
技术实例
测试与测量
东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
小型高边和低边开关(8通道)
东芝
2023-02-07
功率器件
新品
功率器件
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL™(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。
东芝
2023-02-03
分立器件
制造/工艺/封装
功率器件
分立器件
Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂
Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。
Wolfspeed
2023-02-02
新材料
处理器/DSP
EDA/IP/IC设计
新材料
GaN设计诀窍:智能拓扑、布局与热管理
GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距,因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管,设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理,而不是使用GaN的原始功率...
Majeed Ahmad
2023-02-01
新材料
电源管理
安全与可靠性
新材料
SiC vs GaN:宽禁带半导体的不同世界
GaN和SiC都是新技术,而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场,同时,在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...
Majeed Ahmad
2023-01-31
新材料
物联网
通信
新材料
罗姆第4代MOSFET技术回顾
在产品发布声明中,罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构,在不影响短路耐受时间的情况下,使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示,“此外,显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。在本文中,我们将公开一些具有启发性的早期分析,以便验证罗姆的上述声明,并理解其所做的改进。
TechInsights
2023-01-31
功率器件
分立器件
电源管理
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