“2021第三代半导体产教融合发展论坛”（第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛分论坛）于2021年12月7日在深圳会展中心隆重举行。

继成功推出超级充电桩HYC150和HYC300之后，alpitronic近日再次宣布推出业界领先的50kW直流充电桩HYC50。该产品通过采用英飞凌的EasyPACK CoolSiC MOSFET 1B和2B模块以及EiceDRIVER X3驱动器来实现。

宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。准确的电源和测量测试对表征这些高压器件非常关键，以便能够及时制订正确的设计决策。

未来的特种技术需要怎样的芯片制造工艺？

在对抗污染和减缓气候变化方面，两轮和三轮电动车(EV)的发展与四轮和更大EV的发展一样重要。与汽车和卡车相比，大量采用燃烧技术的两轮和三轮车辆对于燃烧控制较少，并且产生大量污染。两轮和三轮EV的设计人员面临着与四轮和更高等级EV设计人员相同的困难挑战，包括最大化两次充电之间的里程数、车辆高可靠性和车辆安全性。

在本系列文章的第一部分中，我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美（onsemi）的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。

Wolfspeed近日与通用汽车达成了供应链协议，为其电动汽车开发并生产碳化硅(SiC)半导体。2021年8月，Wolfspeed以8亿美元延长了与意法半导体的多年协议，为其供应150mm SiC裸晶圆和外延片。这两笔交易使人们更加关注在向全电动汽车转化的过程中，SiC技术发挥的重要作用。

电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市

CISSOID与Silicon Mobility共同宣布：Silicon Mobility的OLEA FPCU控制器已与CISSOID的碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM）平台实现了集成，双方携手打造的这一全新高集成度平台将加速用于电动汽车电机驱动的紧凑型高效碳化硅逆变器的开发。

纳微半导体介绍了使用GaNSense技术的新一代GaNFast氮化镓功率芯片。同时，也针对“氮化镓是鸡肋”的观点进行了反驳。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准

microBUCK同步降压稳压器获功率IC产品奖

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。