广告

制程工艺存分歧,英特尔或与镁光结束闪存合作

时间:2018-01-15 阅读:
据报道,英特尔(Intel)与镁光(Micron)之间维持了很长一段时间的 NAND 闪存开发与制造合作,将很快迎来终结 —— 两家公司将在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道扬镳。

据报道,英特尔(Intel)与镁光(Micron)之间维持了很长一段时间的 NAND 闪存开发与制造合作,将很快迎来终结 —— 两家公司将在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道扬镳。12 年前,英特尔和镁光成立了一家名叫 IMFT 的合资公司。在固态硬盘成为主流前,IMFT 开始生产基于 72nm 平面工艺的 NAND 颗粒。在历史上的大部分时间里,该公司一直是全球四大 NAND 闪存制造商之一。

两家公司的合作只涉及存储技术和制造领域,在共享闪存技术的基础上,两家公司是各自开发、以及向公开市场销售固态硬盘的。

对于即将面对的分道扬镳,其实并非没有先例。早在 2012 年的时候,英特尔就已经将自己持有的部分 IMFT 工厂股份转售给了镁光,只留下了最初联合拥有的犹他州莱希(Lehi)工厂。

自那时起,两家公司都各自建造了更多的厂区,但研发工作仍然围绕犹他州的这处设施展开。英特尔拒绝向最终的 16nm 平面型 NAND 节点投资,将这项任务完全抛给了镁光自己。与此同时,他们的第一代 3D NAND 也在开发之中。

两家公司在 NAND 闪存业务方面有着非常不同的侧重点:英特尔的颗粒几乎只给自家用,而镁光则慷慨地与第三方分享。英特尔主攻的是企业市场,近期多数消费级 SSD 的主控开发都外包了。

甚至在决定跳过 16nm IMFT 节点的时候(在自家 3D NAND 做好准备前并无成本优势),英特尔还为一些客户端和消费级 SSD 选用过从 SK 海力士那里采购来的 16nm NAND 闪存。

随着 59㎡ 的 256Gbit @ 64 层 3D TLC 闪存的推出,镁光在移动市场上表现出了越来越大的兴趣。尽管英特尔一直倾向于用更大的闪存芯片来支撑其企业级 SSD,但这一选项在智能机领域并不不是那么方便。

当然,即便有这些分歧,也不至于是压塌双方合作的最后一根稻草。AnandTech 指出,即将到来的制程挑战,可能是促使它们寻找截然不同的策略的主因。

英特尔和美光当前正在推出第二代 64 层 3D NAND 闪存,在第三代完成开发后,其很有可能会转向 96 层的设计。而要将层数增加到三位数,可能要在接下来的一两代中采用堆叠。

两家公司或许对何时在制造方式上作出改变上有些分歧,还有一种可能是,其中一方想要将 3D 浮动栅极架构、换成更类似于三星等 3D NAND 厂商的电荷陷阱式设计。

这一举措将对两家公司的战略产生重大的影响,其中一方不得不完全承认失败。有迹象表明,在 2D 到 3D 转进的过程中,浮动栅极已经开始成为一个障碍。

然而截至目前,两家公司都没有表现出任何技术变革的迹象。在此之前的几年时间里,这种改变随时可能发生,并根据对方采取的方法来判断。

也有一种可能是,两家公司的 NAND 闪存技术,会在未来更多代产品上保持大同小异。不过分道扬镳之后,并不会影响 IMFT 的 3D XPoint 存储技术的开发与制造。

目前只有英特尔将 3D XPoint 产品推向市场(比如傲腾闪存),而镁光这边的 QuantX 仍属于处于真空状态。不过除了声明继续联合开发 3D XPoint 之外,镁光今日没有透露有关这项技术的后续计划。

(来源:Intel & Micron;企鹅号编译自:AnandTech)

20160630000123

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
广告
相关新闻
广告
广告
广告
广告