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5G设计: ADC的容性参考电压稳定技术

2019-01-21 Ewout Martens,Joris Van Driessche 阅读:
5G设计: ADC的容性参考电压稳定技术
5G无线接收器需要中等的分辨率和速度,将SAR ADC与容性DAC耦合,是实现其高能效转换的常用方法。结合流水线、交错和数字校准等技术,混合ADC方案已经证明可以达到12位ENOB(有效位数)的精度,以及数百MHz的速度。凭借这些特性,这类ADC可以满足5G应用所需的高吞吐量要求。

5G无线接收器需要中等的分辨率和速度,将SAR ADC与容性DAC耦合,是实现其高能效转换的常用方法。结合流水线、交错和数字校准等技术,混合ADC方案已经证明可以达到12位ENOB(有效位数)的精度,以及数百MHz的速度。凭借这些特性,这类ADC可以满足5G应用所需的高吞吐量要求。gdIednc

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ADC本身非常节能,它对周围的电路也有严格的限制,特别是在参考电压方面。实际上,DAC跟信号相关的供电就来自参考电压,这是实现容性DAC的所有逐次逼近寄存器(SAR)型ADC所共有的特性。如果不采取措施稳定此参考电压,就会产生与信号相关的参考电压调制,在ADC输出端出现谐波失真。gdIednc

传统的解决方案包括增加更多的片上去耦电容或高速参考缓冲器,但这样的代价是面积和/或功耗增加。gdIednc

由参考电压提供的与信号相关的充电完全是由特定DAC拓扑确定的。因此,它是可预测的,并且参考电压也可以通过相互抵消的办法稳定下来,即用另一个跟信号相关的充电来抵消这个信号相关的充电,以此消除参考电压上的纹波。Imec通过在交错流水线的SAR ADC中使用辅助DAC,成功实现了这种参考电压稳定技术。gdIednc

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图1:稳定容性参考电压的基本原理。gdIednc

图1显示了这种稳定技术的基本概念。当输入信号被采样到主DAC时,参考电压也被采样到参考电容Cref上,同时辅助DAC Caux被放电(步骤1)。当主DAC根据代码B1切换以产生残留时,辅助DAC的单元(数量由代码决定)也连接到参考节点(步骤2)。通过为每个代码B1选择适当大小的Caux,可以使主DAC和辅助DAC的充电量保持恒定。参考电压会下降,但跟信号无关了。 gdIednc

最后,主DAC重置到其初始状态,这一操作也会从参考电压中汲取跟信号相关的充电。通过对第二个辅助DAC Creset使用相同的稳压技术,第二个参考压降也变得与信号无关了(步骤3)。参考缓冲器现在只需要以恒定的电荷量为Cref再充电,就极大地缓解了其带宽需求。 gdIednc

图2是两个交错、流水线SAR ADC的示意图,它们实现了上面所讨论的稳定技术。在这种架构中,最关键的是第一阶段产生的最后残留。因此,只有当残留是由主DAC产生时,才能应用这样的稳定技术。该DAC使用2个子DAC来保证正、负输入范围,这不但减少了开关能量,也导致代码B1非线性映射到辅助DAC Caux的右侧设置,这是消除信号对主DAC充电的影响所必需的。 gdIednc

6位代码B1由一个低精度的小SAR量化器确定,它仅需要6位线性度,因此不会对其参考电压有严格的要求。查找表(LUT)将代码B1映射到辅助DAC的右侧设置。然后,主DAC切换,将辅助DAC Caux连接到参考节点。在残留放大后,主DAC复位,辅助DAC Creset连接到参考节点,如上所述。通过第二阶段进一步量化放大残留,以达到14位的整体量化级别。gdIednc

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图2:两个交错、流水线SAR ADC的示意图。 gdIednc

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LUT与低精度SAR量化器同时寻址,以大大缩短关键时序路径。为了填充LUT,一个内置偏移比较器将最终参考电压与标称值Vref0进行比较,并根据代码B1用校准引擎来调整Caux设置。Creset的设置可以很好地通过分段线性解码器来近似。gdIednc

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图3:芯片显微照片。gdIednc

测试芯片采用16nm FinFET工艺制造。其核心区域面积为350×325μm2,其中16%用于参考稳定方案,包括50pF的Cref。用容性稳定技术实现的谐波失真降低可以测量出来,如图4所示。在高速运行时,Caux和Creset都能显著改善SFDR(无杂散动态范围),将杂散抑制在80 dBFS以下。在303 MS/s时,低频和奈奎斯特输入的SNDR(信噪加失真比)分别为64.0dB和69.3dB。其功耗仅3.6 mW,如图5所示。gdIednc


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图4:辅助DAC可以降低杂散。gdIednc

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图5:不同先进架构的ADC比较。 gdIednc

这些结果表明,SAR ADC中的DAC切换会引起跟信号相关的参考电压下降,通过使用辅助DAC可以消除它,从而实现参考电压的稳定。若DAC复位时也应用这一稳定技术,参考节点的负载可以与信号无关,这就大大降低了对参考缓冲器和/或片上去耦电容的要求。gdIednc

本文为《电子技术设计》20191月刊杂志文章。gdIednc

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