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探讨双向放大器及反馈网络

时间:2019-01-25 作者:Sergio Franco 阅读:
负反馈系列文章开始于经典的方框图,其中放大器和反馈网络都被认为是单向的。采用自下而上的方法,我们来探讨反馈网络通常是双向的。

负反馈系列文章开始于经典的方框图,其中放大器和反馈网络都被认为是单向的。采用自下而上的方法,我们来探讨反馈网络通常是双向的。R5yednc

现在是时候来讨论最常见的情形了,其实放大器也是双向的。为此,我们来看图1a的电路,其中放大器的双向性可以用前向增益a和反向增益b来建模说明。 (由于ro的存在,反馈网络也是双向的。)R5yednc

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图1:(a)双向放大器的经典同相配置 (b)标记电路以进行直接分析。 R5yednc

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电路采用经典的同相放大器配置,旨在实现接近理想的闭环增益。R5yednc

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但是,实际电路与公式(1)有多接近? 为了简化公式并给出电路的直观感觉,我们假设整个电路的电阻都是相同的: R5yednc

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因此,Aideal = 1 + 10/10 = 2 V/V。电路很简单,可以直接算出其闭环增益。参考图1b,我们在节点vn处应用KCL来代入:R5yednc

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利用叠加原则,可以得到: R5yednc

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用公式(2)的值代替电阻,消除vn并归纳,即可得到: R5yednc

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在a→∞时,可以得出A → 2/(1 – b),这与A = 2 V/ V相差甚远。 但是,如果b = 0,电路确实可以得到A → 2 V/V (= Aideal)。 甚至更奇怪的是当b = 1时,可以得到A = (2a + 1)/6 → a/3,这表示电路将放大全开环增益的约1/3! R5yednc

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渐近增益模型(AGM)

为了更直观,我们使用渐近增益模型来表达A: R5yednc

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其中T是环路增益,A∞是当T→∞时的闭环增益,A0是当T→0时的闭环增益。后者源于误差放大器周围的信号馈通和反馈网络,因此它被恰当地称为馈通增益。 以下是图1a电路的T、A和A0的计算。R5yednc

让我们通过电压注入法来得到T。为此,我们将vi置零,并将测试电压vt与信号源avd串联,如图2所示。很容易看出,当vi = 0时,依赖于信号源建模的前向增益变为-avn。 因此,vr = –avn。 此外,由于ro = R2 (= 10 kΩ),vo是vn和vf的平均值,或者vo = (vn + vf)/2。 节点vn处的KCL为:R5yednc

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图2:为图1中放大器求取T的电路。R5yednc

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代入v= -vr/a 及vo = (-vr/a + vf)/2,并归纳,在公式(2)的条件下可以得到: R5yednc

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我们注意到如果放大器是单向的(b = 0),电路将得到T = a/5。 显然,b≠0的状态势必会改变电路的交叉频率,从而改变相位裕度。更奇怪的是当b = 1的情况,因为这时会得到T = 0! R5yednc

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根据公式(5),通过使a→∞可以实现T→∞,从而得到A。这使得vd = vo/aR5yednc

→ vo/∞ = 0,因此反相输入电压为vi,如图3a所示。 注意,即使vd = 0,因为电压bvo的缘故, ii  ≠ 0。 事实上,根据欧姆定律,ii  = bvo/ri。 此外,由KVL和KCL可以得到:R5yednc

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归纳和求解比率vo/vi,可以得到:R5yednc

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图3:为图1中放大器求取(a)A (b)A0的电路。R5yednc

因此,可以确认A ≠ Aideal。 很明显,要想A接近Aideal,电路必须满足条件:R5yednc

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单向放大器肯定满足这个条件,因为它们b = 0。双向放大器的ri=∞时,也可以满足这个条件。 有趣的是,单位增益电压跟随器也满足条件,其中R2 = 0。然后,在a→∞的情况下,可以得到vo→vi,尽管放大器具有双向性!R5yednc

根据公式(5),让a→0可以达到T→0的极限条件,从而找到A0。我们看一看图3b的电路,其中R1和R2共用节点处的电压表示为2vo。根据KCL:R5yednc

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归纳并求解比率vo/vi,在公式(2)的条件下可以得到: R5yednc

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作为验证,将公式(5)、(6)和(8)代入公式(4),可以得回公式(3)。R5yednc

精心设计的电路会在足够宽的频率范围内满足公式(7)的条件,但在高频(即交叉频率所在的位置)下,寄生效应的存在可能导致某些放大器类型的b上升。鉴于ri的高频趋向于容性,而ro趋向于感性,双向性将会影响电路的稳定性条件。R5yednc

(原文刊登于ASPENCORE旗下EDN英文网站,参考链接:Feedback using bidirectional blocks revisited。)R5yednc

本文为《电子技术设计》20191月刊杂志文章。R5yednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Sergio Franco
Sergio Franco是多本书的作者,是一名退休的大学教授,不得已而进入模拟电子行业。Sergio Franco在意大利学习物理专业,毕业后获得了富布赖特奖学金,并作为研究生进入声名卓著的伊利诺伊大学ILLIAC III计算机项目小组工作...后来却发现数字方向的研究职位已经没有了,只剩一个没人感兴趣的模拟方向的职位。因此,Sergio Franco不得不坐在实验室里开始自学模拟知识(晶体管、运算放大器、数据转换器、对数放大器和模拟乘法器)。Sergio Franco的物理背景使他能够用物理视角看待电路,而必要时数学只是一种更严格的验证工具。他用所学的模拟专业知识来设计实时作曲的电子系统(SalMar Contruction)。获得博士学位后,Sergio Franco离开了学术界,并在1980年重回到学术界,致力于培养模拟工程师,期中数百人现在在硅谷工作。除了写书,教书也一直是Sergio Franco最喜欢的职业。欲了解更多关于Sergio Franco的信息,请访问http://online.sfsu.edu/sfranco。
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