SGT75T60SDM1P7产品是士兰微电子采用第三代场截止(Field Stop III)工艺制作的绝缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和开关损耗、快速关断能力、宽反向安全工作区范围等特点。该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用，更好的让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD123封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场，有良好的市场反馈。

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。

维安面向全球市场，在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入，经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累，已开发出国内非常领先的工艺技术，可以将小封装，高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白，打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品，SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2，使用TO-252/DPAK贴片封装，内阻低至3.5Ω，相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制，中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。

汽车级器件阻值高达7.5M，温度系数低至±25ppm/K，公差仅为±0.1%

器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准，不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差

与传统的光耦合器相比，数字隔离器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具优势。数以十亿计的使用微变压器的数字隔离器已广泛用于许多市场，包括汽车、工业自动化、医疗和能源。这些数字隔离器之所以具有高压性能，主要原因在于：在堆栈式绕组变压器的顶部螺旋绕组和底部螺旋绕组之间使用了聚酰亚胺膜。本文将介绍数字隔离器的结构，其中使用聚酰亚胺膜作为隔离层。为了满足多种安全标准，例如UL和VDE，数字隔离器需要具有承受短时耐受电压、浪涌电压、工作电压等各种高压性能。研究了聚酰亚胺在交流或直流等各种高压波形下的老化行为，并通过聚酰亚胺寿命模型推算出隔离器的工作电压。此外，还将讨论通过改进结构来改善聚酰亚胺的高压使用寿命。

继成功推出超级充电桩HYC150和HYC300之后，alpitronic近日再次宣布推出业界领先的50kW直流充电桩HYC50。该产品通过采用英飞凌的EasyPACK CoolSiC MOSFET 1B和2B模块以及EiceDRIVER X3驱动器来实现。

公司被评为全球功率半导体领导者和无源元件年度领先供应商

本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。

目标本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先，我们需要做一些关于硬件限制问题的说明。ADALM2000系统中的波形发生器具有高输出带宽，该高带宽代来了宽带噪声

在本系列文章的第一部分中，我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美（onsemi）的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。