由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性

可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105℃，适用于各种恶劣商用环境

加固型双电层储能电容器被评为年度高性能无源分立器件

15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率

在由ASPENCORE举办的2021全球双峰会的全球分销与供应链峰会上，北京京北通宇电子元件有限公司创始人兼董事长刘国枝女士带来“企业核心竞争力”的主题演讲。她从虚和实两个方面探讨了这个话题。

紧凑的12.5mm小型器件最多可配置七个模块适用于越野、航空和工业应用

对于GaN功率器件的制造商而言，扩充产能是当前的重中之重。对此，思锐智能推出了业界领先的量产型ALD沉积设备——Beneq Transform™系列，凭借成熟、稳定的多片沉积工艺，能够为高端应用的行业客户提供卓越的沉积镀膜生产效率，以及传统工艺无法企及的镀膜均匀性、纳米级膜厚精准控制等优势，进而助力产能扩充的需求。

最高品质的溅射钌触点开关，适用于低电平“干性”切换

器件专门用来取代体积较大且昂贵的解决方案，可在+155 °C高温下连续工作

目前碳化硅功率晶体的发展主要在于几个方向：1.降低单位晶粒面积下的通态电阻；2.提高功率晶体门极可靠度3.在不影响驱动位准的大前提下降低驱动电压位准。

低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

器件适用于汽车和工业设备，外形尺寸为4527，最高工作电压达1500V

本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。

器件采用10mm x 6.4mm x 10mm封装，径向固定配置，减小占位面积，直流内阻低至0.130m，工作温度达+155℃